NRVTS10100EMFST1G (DIODE SCHOTTKY 100V 10A 5DFN)

Доставка NRVTS10100EMFST1G по России Диоды — выпрямители — одиночные NRVTS10100EMFST1G ON Semiconductor в нашем каталоге. В наличии NRVTS10100EMFST1G с доставкой по всей России через транспортные компании. Цена от 237.60 руб. Срок поставки уточняйте. (DIODE SCHOTTKY 100V 10A 5DFN).
NRVTS10100EMFST1G характеристики
| Производитель | ON Semiconductor |
|---|---|
| Серия | Automotive |
| AEC-Q101 | Part Status |
| Active | Упаковка |
| Cut Tape (CT) | Вид монтажа |
| Surface Mount | Корпус |
| 8-PowerTDFN | 5 Leads |
| Исполнение корпуса | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Тип диода | Schottky |
| Cреднее значение выпрямленного тока (Io) | 10A |
| Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If | 720mV @ 10A |
| Ток утечки при Обратном напряжении (Vr) | 50µA @ 100V |
| Максимальное обратное напряжение (Vr) | 100V |
| Скорость | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Рабочая температура pn-прехода | -55°C ~ 175°C |
| Емкость @ Vr | F |
Рекомендации по подбору
Диоды NRVTS10100EMFST1G от ON Semiconductor представляют собой надежные компоненты для различных приложений, включая автомобильную электронику. При выборе аналогов важно учитывать характеристики, такие как максимальное обратное напряжение, средний выпрямленный ток и тип корпуса.
Перед заменой диода рекомендуется проверить совместимость с существующими схемами, чтобы избежать возможных проблем. Основные риски при замене могут включать перегрев, недостаточную производительность и несоответствие параметров.
- Максимальное обратное напряжение (Vr): 100V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A
- Тип корпуса: 5-DFN (5x6)
- Температурный диапазон: -55°C ~ 175°C
Похожие товары
CD214B-FS3K (DIO RECT VRRM 800V 3A SMB)
Категория:
Дискретные полупроводники
139.20₽
ЗаказатьGBU15L05HD2G (BRIDGE RECT 1PHASE 600V 15A GBU)
Категория:
Дискретные полупроводники
ЗаказатьDGSK40-025A (DIODE ARRAY SCHOTTKY 250V TO220)
Категория:
Дискретные полупроводники
ЗаказатьGP10J-4005-M3/54 (DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL)
Категория:
Дискретные полупроводники
Заказать

