NRVTS10100EMFST1G (DIODE SCHOTTKY 100V 10A 5DFN)

Доставка NRVTS10100EMFST1G по России Диоды — выпрямители — одиночные NRVTS10100EMFST1G ON Semiconductor в нашем каталоге. В наличии NRVTS10100EMFST1G с доставкой по всей России через транспортные компании. Цена от 237.60 руб. Срок поставки уточняйте. (DIODE SCHOTTKY 100V 10A 5DFN).
NRVTS10100EMFST1G характеристики
| Производитель | ON Semiconductor |
|---|---|
| Серия | Automotive |
| AEC-Q101 | Part Status |
| Active | Упаковка |
| Cut Tape (CT) | Вид монтажа |
| Surface Mount | Корпус |
| 8-PowerTDFN | 5 Leads |
| Исполнение корпуса | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Тип диода | Schottky |
| Cреднее значение выпрямленного тока (Io) | 10A |
| Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If | 720mV @ 10A |
| Ток утечки при Обратном напряжении (Vr) | 50µA @ 100V |
| Максимальное обратное напряжение (Vr) | 100V |
| Скорость | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Рабочая температура pn-прехода | -55°C ~ 175°C |
| Емкость @ Vr | F |
Рекомендации по подбору
Диоды NRVTS10100EMFST1G от ON Semiconductor представляют собой надежные компоненты для различных приложений, включая автомобильную электронику. При выборе аналогов важно учитывать характеристики, такие как максимальное обратное напряжение, средний выпрямленный ток и тип корпуса.
Перед заменой диода рекомендуется проверить совместимость с существующими схемами, чтобы избежать возможных проблем. Основные риски при замене могут включать перегрев, недостаточную производительность и несоответствие параметров.
- Максимальное обратное напряжение (Vr): 100V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A
- Тип корпуса: 5-DFN (5x6)
- Температурный диапазон: -55°C ~ 175°C
Похожие товары
EGL41FHE3/96 (DIODE GEN PURP 300V 1A DO213AB)
Категория:
Дискретные полупроводники
ЗаказатьS1BLHRQG (DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA)
Категория:
Дискретные полупроводники
ЗаказатьVS-MBRB2545CTL-M3 (DIODE SCHOTTKY 45V 15A D2PAK)
Категория:
Дискретные полупроводники
ЗаказатьRL104-AP (DIODE GEN PURP 400V 1A A-405)
Категория:
Дискретные полупроводники
Заказать