EGL41FHE3/96 (DIODE GEN PURP 300V 1A DO213AB)
Доставка EGL41FHE3/96 по России Диоды — выпрямители — одиночные EGL41FHE3/96 Vishay Semiconductor Diodes Division в нашем каталоге. В наличии EGL41FHE3/96 с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (DIODE GEN PURP 300V 1A DO213AB).
EGL41FHE3/96 характеристики
| Производитель | Vishay Semiconductor Diodes Division |
|---|---|
| Серия | SUPERECTIFIER® |
| Part Status | Discontinued at Digi-Key |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Вид монтажа | Surface Mount |
| Корпус | DO-213AB |
| MELF (Glass) | Исполнение корпуса |
| DO-213AB | Base Part Number |
| EGL41F | Тип диода |
| Standard | Cреднее значение выпрямленного тока (Io) |
| 1A | Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If |
| 1.25V @ 1A | Ток утечки при Обратном напряжении (Vr) |
| 5µA @ 300V | Максимальное обратное напряжение (Vr) |
| 300V | Скорость |
| Fast Recovery = 200mA (Io) | Время восстановления запорного слоя (trr) |
| 50ns | Рабочая температура pn-прехода |
| -65°C ~ 175°C | Емкость @ Vr |
| F | 14pF @ 4V |
Рекомендации по подбору
Выпрямительный диод EGL41FHE3/96 (Vishay, серия SUPERECTIFIER®) рассчитан на обратное напряжение 300 В, прямой ток 1 А и время восстановления 50 нс. Корпус DO-213AB (MELF) предназначен для поверхностного монтажа и обеспечивает хорошую теплопередачу. Диапазон рабочих переходов от –65 до +175 °C позволяет применять его в жёстких условиях.
Данный компонент снят с производства, поэтому для новых проектов или ремонта потребуется подбор аналога. При замене важно учитывать не только номинальные параметры, но и динамические характеристики, габариты корпуса и допустимые нагрузки.
- Проверьте максимальное обратное напряжение (не менее 300 В) и средний прямой ток (не менее 1 А) — замена с запасом по напряжению допустима, но с запасом по току требует расчёта теплового режима.
- Убедитесь в совместимости корпуса: DO-213AB (MELF) имеет стандартные размеры, однако аналоги в других корпусах (например, SMA) потребуют изменения топологии платы.
- Оцените время восстановления (trr): для высокочастотных схем критично, чтобы trr не превышал 50 нс. Использование более медленного диода увеличит потери на переключение и может вызвать перегрев.
- Риски при замене: различия в температурном коэффициенте прямого напряжения, токе утечки или паразитной ёмкости (у данного 14 пФ при 4 В) способны повлиять на работу схемы. Всегда проверяйте крайние значения из даташита.
Похожие товары
SF65-TP (DIODE GPP SUPER FAST 6A DO-201AD)
Категория:
Дискретные полупроводники
Заказать
STTH8L06D (DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC)
Категория:
Дискретные полупроводники
235.20
₽
Заказать
VUO16-08NO1 (RECT BRIDGE 3PH 20A 800V V1-A)
Категория:
Дискретные полупроводники
Заказать
SJPB-L4VL (DIODE SCHOTTKY 40V 3A SJP)
Категория:
Дискретные полупроводники
Заказать