+7(916) 225-43-02

W987D2HBJX6E (IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA)

W987D2HBJX6E (IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA)
Интегральные микросхемы Модули памяти
Доставка W987D2HBJX6E по России Модули памяти W987D2HBJX6E Winbond Electronics в нашем каталоге. В наличии W987D2HBJX6E с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA).

W987D2HBJX6E характеристики

ПроизводительWinbond Electronics
Серия-
Part StatusNot For New Designs
УпаковкаTray
Вид монтажаSurface Mount
Корпус90-TFBGA
ТехнологияSDRAM - Mobile LPSDR
Рабочая температура-25°C ~ 85°C (TC)
Исполнение корпуса90-VFBGA (8x13)
Напряжение питания1.7 V ~ 1.95 V
Тип памятиVolatile
Объем памяти128Mb (4M x 32)
Clock Frequency166MHz
Время доступа5.4ns
Memory FormatDRAM
Write Cycle Time - WordPage
15nsMemory Interface

Как подобрать аналог и проверить совместимость

Перед заказом сравните параметры этой позиции с требованиями вашей схемы и посадочного места.

Что важно проверить:

  • Номинал, допуск и рабочий диапазон температур.
  • Ток/напряжение с запасом под реальную нагрузку.
  • Тип корпуса и габариты для корректного монтажа.
  • Условия применения (частота, нагрев, режим работы).

Нужен аналог для W987D2HBJX6E? Отправьте артикул и требования через форму ниже — подберем совместимую замену.

Похожие товары