VND14NV04TR-E (MOSFET OMNIFET 40V 12A DPAK)
VND14NV04TR-E характеристики
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Серия | OMNIFET II™ |
| VIPower™ | Part Status |
| Active | Упаковка |
| Cut Tape (CT) | Корпус |
| TO-252-3 | DPak (2 Leads + Tab) |
| SC-63 | Тип входа |
| Non-Inverting | Рабочая температура |
| -40°C ~ 150°C (TJ) | Тип выходного сигнала |
| N-Channel | Особенности |
| - | Интерфейс |
| On/Off | Исполнение корпуса |
| D-Pak | Base Part Number |
| 14NV04 | Число выходов |
| 1 | Конфигурация выхода |
| Low Side | Отношение вход/выход |
| 1:1 | Напряжение питания(Vcc/Vdd) |
| Not Required | Защита от отказов |
| Current Limiting (Fixed) | Over Temperature |
| Over Voltage | Сопротивление Rds On (Номинальное) |
| 35 mOhm (Max) | Напряжение нагрузки |
| 36V (Max) | Выходной ток (Макс) |
| 12A | Тип переключения |
Рекомендации по подбору
VND14NV04TR-E (STMicroelectronics) — интегральный коммутатор нагрузки серии OMNIFET II с N-канальным MOSFET на выходе. Компонент рассчитан на напряжение до 36 В и постоянный ток до 12 А, сопротивление канала — 35 мОм. Встроенные защиты от перегрузки по току, перегрева и перенапряжения делают его надёжным решением для систем с жёсткими требованиями к отказоустойчивости, например в автомобильной или промышленной электронике.
При подборе аналога критично сопоставить не только электрические параметры, но и тип защиты, а также управляющую логику. Важно проверить совместимость по корпусу (DPAK), конфигурации выхода (Low Side, Non-Inverting) и отсутствию внешнего питания драйвера. Несовпадение защитных порогов или динамических характеристик может привести к нештатной работе схемы.
- Критерии выбора аналога: максимальное напряжение сток-исток (≥36 В), длительный ток (≥12 А), сопротивление Rds(on) (≤35 мОм), наличие фиксированного токоограничения, термозащиты и защиты от перенапряжения.
- Проверка совместимости: корпус DPAK, тип выхода Low Side, управляющий сигнал Non-Inverting (активный высокий уровень); отсутствие необходимости в Vcc (Vdd not required).
- Риски при замене: более высокий Rds(on) увеличивает тепловыделение; разница в порогах срабатывания защит может вызвать ложные отключения; для ШИМ-применений важны частота переключения и входная ёмкость затвора.
Похожие товары
AT89C52-24JC (IC MCU 8BIT 8KB FLASH 44PLCC)
MAX5150AEEE (IC DAC DUAL V-OUT 13BIT 16-QSOP)
ADS1286PG4 (IC ADC 12BIT 20K 8-DIP)
