VBT6045CBP-E3/8W (DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO236AB)
Доставка VBT6045CBP-E3/8W по России Диоды — выпрямители — наборы и массивы VBT6045CBP-E3/8W Vishay Semiconductor Diodes Division в нашем каталоге. В наличии VBT6045CBP-E3/8W с доставкой по всей России через транспортные компании. Цена от 638.40 руб. Срок поставки уточняйте. (DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO236AB).
VBT6045CBP-E3/8W характеристики
| Производитель | Vishay Semiconductor Diodes Division |
|---|---|
| Серия | TMBS® |
| Part Status | Active |
| Упаковка | Cut Tape (CT) |
| Вид монтажа | Surface Mount |
| Корпус | TO-263-3 |
| D?Pak (2 Leads + Tab) | TO-263AB |
| Исполнение корпуса | TO-263AB |
| Base Part Number | VBT6045C |
| Тип диода | Schottky |
| Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If | 640mV @ 30A |
| Ток утечки при Обратном напряжении (Vr) | 3mA @ 45V |
| Конфигурация диода | 1 Pair Common Cathode |
| Максимальное обратное напряжение (Vr) | 45V |
| Cреднее значение выпрямленного тока (Io) (на один диод) | 30A |
| Скорость | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Рабочая температура pn-прехода | 200°C (Max) |
Рекомендации по подбору
Диодный массив VBT6045CBP-E3/8W от Vishay представляет собой сдвоенный диод Шоттки с общим катодом в корпусе TO-263AB (D2Pak). Рассчитан на обратное напряжение до 45 В и средний ток до 30 А на каждый диод, при прямом падении напряжения 640 мВ. Благодаря низкому прямому напряжению и высокой рабочей температуре pn-перехода (200 °C) применяется в высокочастотных импульсных источниках питания и цепях защиты от обратной полярности.
При подборе функционального аналога важно учитывать не только номинальное напряжение и ток, но и тепловые характеристики, тип корпуса и конфигурацию выводов. Несовпадение параметров может привести к снижению эффективности или выходу устройства из строя. Ниже приведены основные критерии для корректной замены.
- Соответствие максимальному обратному напряжению (Vr) и среднему току (Io) — замена с меньшим запасом по напряжению или току недопустима.
- Проверка корпуса и монтажа: TO-263AB (D2Pak) имеет площадь теплоотвода; при переходе на другой корпус необходима переработка печатной платы и теплоотвода.
- Учёт прямого падения напряжения (Vf) и динамических характеристик — при замене на диод с более высоким Vf возрастут потери, что критично для низковольтных преобразователей.
- Риски при замене: при использовании аналога с меньшей рабочей температурой перехода или большим обратным током утечки возможен тепловой пробой и снижение надёжности системы.
Похожие товары
TS8P02GHC2G (BRIDGE RECT 1PHASE 100V 8A TS-6P)
Категория:
Дискретные полупроводники
ЗаказатьMBR3535R (DIODE SCHOTTKY REV 35V DO4)
Категория:
Дискретные полупроводники
4874.40₽
ЗаказатьMUR480-TP (DIODE GEN PURP 800V 4A DO201AD)
Категория:
Дискретные полупроводники
ЗаказатьR7220807CSOO (DIODE GEN PURP 800V 700A DO200AB)
Категория:
Дискретные полупроводники
Заказать
