+7(916) 225-43-02

VBT2060C-M3/4W (DIODE SCHOTTKY 20A 60V TO-263AB)

VBT2060C-M3/4W (DIODE SCHOTTKY 20A 60V TO-263AB)
Дискретные полупроводники Диоды — выпрямители — наборы и массивы
Доставка VBT2060C-M3/4W по России Диоды — выпрямители — наборы и массивы VBT2060C-M3/4W Vishay Semiconductor Diodes Division в нашем каталоге. В наличии VBT2060C-M3/4W с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (DIODE SCHOTTKY 20A 60V TO-263AB).

VBT2060C-M3/4W характеристики

ПроизводительVishay Semiconductor Diodes Division
СерияTMBS®
Part StatusActive
УпаковкаTube
Вид монтажаSurface Mount
КорпусTO-263-3
D?Pak (2 Leads + Tab)TO-263AB
Исполнение корпусаTO-263AB
Тип диодаSchottky
Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If650mV @ 10A
Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)850µA @ 60V
Конфигурация диода1 Pair Common Cathode
Максимальное обратное напряжение (Vr)60V
Cреднее значение выпрямленного тока (Io) (на один диод)10A
СкоростьFast Recovery = 200mA (Io)
Рабочая температура pn-прехода-55°C ~ 150°C

Рекомендации по подбору

Сдвоенный диод Шоттки VBT2060C-M3/4W (конфигурация с общим катодом) предназначен для высокочастотного выпрямления в импульсных источниках питания и DC-DC преобразователях. Корпус TO-263AB обеспечивает поверхностный монтаж и отвод тепла через подложку.

При подборе аналога учитывайте обратное напряжение (не менее 60 В), средний прямой ток (не менее 10 А на канал), прямое падение напряжения (типовое 650 мВ при 10 А), конфигурацию выводов (общий катод) и тепловые характеристики (RthJC). Предпочтительны компоненты серии TMBS® или аналоги с низким VF и быстрым восстановлением.

  • Риск перегрева: замена на диод с более высоким прямым падением напряжения или худшим тепловым сопротивлением может превысить допустимую температуру перехода.
  • Несовместимость распиновки: даже в одинаковом корпусе TO-263AB некоторые диоды имеют другую конфигурацию (общий анод или одиночный диод) — обязательно сверяйтесь с datasheet.
  • Запас по напряжению: для надежности выбирайте аналог с максимальным обратным напряжением не менее 72 В (запас 20%), иначе возможен лавинный пробой при импульсных выбросах.
  • Учёт ёмкости перехода: у аналогов с другим дизайном pn-перехода может отличаться барьерная ёмкость, что повлияет на КПД на высоких частотах.

Похожие товары