UMP11NTN (DIODE ARRAY GP 80V 100MA UMD6)
Доставка UMP11NTN по России Диоды — выпрямители — наборы и массивы UMP11NTN Rohm Semiconductor в нашем каталоге. В наличии UMP11NTN с доставкой по всей России через транспортные компании. Цена от 171.60 руб. Срок поставки уточняйте. (DIODE ARRAY GP 80V 100MA UMD6).
UMP11NTN характеристики
| Производитель | Rohm Semiconductor |
|---|---|
| Серия | - |
| Part Status | Active |
| Упаковка | Cut Tape (CT) |
| Вид монтажа | Surface Mount |
| Корпус | 6-TSSOP |
| SC-88 | SOT-363 |
| Исполнение корпуса | UMD6 |
| Base Part Number | MP11 |
| Тип диода | Standard |
| Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If | 1.2V @ 100mA |
| Ток утечки при Обратном напряжении (Vr) | 100nA @ 70V |
| Конфигурация диода | 2 Pair Common Anode |
| Максимальное обратное напряжение (Vr) | 80V |
| Cреднее значение выпрямленного тока (Io) (на один диод) | 100mA |
| Скорость | Small Signal = |
| Время восстановления запорного слоя (trr) | 4ns |
| Рабочая температура pn-прехода | 150°C (Max) |
Рекомендации по подбору
Сборка UMP11NTN (Rohm Semiconductor) представляет собой две пары диодов с общим анодом в корпусе UMD6 (SOT-363). Компонент рассчитан на обратное напряжение до 80 В и прямой ток до 100 мА на диод, время обратного восстановления — 4 нс. Основное применение — высокочастотные цепи, защита от перенапряжений и логическая коммутация.
При подборе аналога критичны следующие параметры: максимальное обратное напряжение (не менее 80 В), прямой ток (не менее 100 мА), время восстановления (не более 4 нс) и конфигурация выводов (две пары с общим анодом). Корпус SOT‑363 — ключевой для совместимости посадочного места.
- Сверьте распиновку аналога: у UMP11NTN выводы анодов — 1, 2, 5, 6; катоды — 3, 4. Несовпадение конфигурации вызовет переполюсовку или короткое замыкание.
- Убедитесь, что максимальная температура pn‑перехода аналога не ниже 150 °C, а тепловое сопротивление корпуса не хуже оригинала — иначе возможен перегрев при длительной работе.
- Оцените паразитную ёмкость и время восстановления: замена на диод с бо́льшим trr (>4 нс) снизит быстродействие схемы и может вызвать дребезг в высокочастотных цепях.
- Проверьте допустимый импульсный ток (если требуется) и мощность рассеивания — уточните по datasheet оригинала, чтобы избежать пробоя при кратковременных бросках.
Похожие товары
S1J-TP (DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA)
Категория:
Дискретные полупроводники
Заказать
DSEI60-06A (DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD)
Категория:
Дискретные полупроводники
1917.60
₽
Заказать
SS6P4C-M3/86A (DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V TO277A)
Категория:
Дискретные полупроводники
158.40
₽
Заказать
VS-12CTQ035-N3 (DIODE ARRAY SCHOTTKY 35V TO220-3)
Категория:
Дискретные полупроводники
Заказать