+7(916) 225-43-02

UGB10FCT-E3/45 (DIODE ARRAY GP 300V 5A TO263AB)

UGB10FCT-E3/45 (DIODE ARRAY GP 300V 5A TO263AB)
Дискретные полупроводники Диоды — выпрямители — наборы и массивы
Доставка UGB10FCT-E3/45 по России Диоды — выпрямители — наборы и массивы UGB10FCT-E3/45 Vishay Semiconductor Diodes Division в нашем каталоге. В наличии UGB10FCT-E3/45 с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (DIODE ARRAY GP 300V 5A TO263AB).

UGB10FCT-E3/45 характеристики

ПроизводительVishay Semiconductor Diodes Division
Серия-
Part StatusActive
УпаковкаTube
Вид монтажаSurface Mount
КорпусTO-263-3
D?Pak (2 Leads + Tab)TO-263AB
Исполнение корпусаTO-263AB
Base Part NumberUGB10FCT
Тип диодаStandard
Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If1.3V @ 5A
Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)10µA @ 300V
Конфигурация диода1 Pair Common Cathode
Максимальное обратное напряжение (Vr)300V
Cреднее значение выпрямленного тока (Io) (на один диод)5A
СкоростьFast Recovery = 200mA (Io)
Время восстановления запорного слоя (trr)50ns
Рабочая температура pn-прехода-40°C ~ 150°C

Рекомендации по подбору

Диодная сборка UGB10FCT-E3/45 (Vishay) содержит два быстровосстанавливающихся диода с общим катодом в корпусе TO-263AB. Компонент рассчитан на обратное напряжение до 300 В и средний выпрямленный ток до 5 А на диод при прямом падении 1,3 В. Время восстановления 50 нс позволяет использовать его в высокочастотных преобразователях и импульсных источниках питания.

При замене UGB10FCT-E3/45 необходимо оценивать не только статические, но и динамические характеристики, а также конфигурацию корпуса. Расхождение в параметрах может привести к перегреву, снижению КПД или сбоям в работе схемы. Ниже приведены ключевые критерии выбора аналога и риски.

  • Критерии подбора: идентичная конфигурация (общий катод), корпус TO-263AB, обратное напряжение не менее 300 В, средний ток не менее 5 А на диод, время восстановления не более 50 нс, прямое падение в пределах 1,3 – 1,5 В (с учётом допустимого нагрева).
  • Проверка совместимости: сверьте цоколёвку (аналог может отличаться распиновкой) и тепловое сопротивление кристалл–корпус; при частоте выше 100 кГц критично отсутствие увеличения trr.
  • Риски при замене: диод с большим Vf увеличит потери и нагрев; замена на медленный диод (trr > 100 нс) вызовет рост динамических потерь; использование диода с другим корпусом (например, DPAK) требует переработки посадочного места на плате.

Похожие товары