UFT20120 (DIODE MODULE 200V 100A)
Доставка UFT20120 по России Диоды — выпрямители — наборы и массивы UFT20120 Microsemi Corporation в нашем каталоге. В наличии UFT20120 с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (DIODE MODULE 200V 100A).
UFT20120 характеристики
| Производитель | Microsemi Corporation |
|---|---|
| Серия | - |
| Part Status | Obsolete |
| Упаковка | Bulk |
| Вид монтажа | Screw Mount |
| Корпус | Module |
| Исполнение корпуса | Module |
| Тип диода | Standard |
| Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If | 1.25V @ 100A |
| Ток утечки при Обратном напряжении (Vr) | 50µA @ 200V |
| Конфигурация диода | 1 Pair Common Cathode |
| Максимальное обратное напряжение (Vr) | 200V |
| Cреднее значение выпрямленного тока (Io) (на один диод) | 100A |
| Скорость | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Время восстановления запорного слоя (trr) | 70ns |
Как подобрать аналог и проверить совместимость
Перед заказом сравните параметры этой позиции с требованиями вашей схемы и посадочного места.
Что важно проверить:
- Номинал, допуск и рабочий диапазон температур.
- Ток/напряжение с запасом под реальную нагрузку.
- Тип корпуса и габариты для корректного монтажа.
- Условия применения (частота, нагрев, режим работы).
Нужен аналог для UFT20120? Отправьте артикул и требования через форму ниже — подберем совместимую замену.
Похожие товары
VS-VSKJ320-04PBF (DIODE 400V 160A MAGN-A-PAK)
Категория:
Дискретные полупроводники
ЗаказатьFR106TA (DIODE GEN PURP 800V 1A DO41)
Категория:
Дискретные полупроводники
ЗаказатьGBJL3510-BP (BRIDGE RECT 1PHASE 1000V GBJL)
Категория:
Дискретные полупроводники
ЗаказатьRL101-N-2-3-AP (DIODE GEN PURP 50V 1A A-405)
Категория:
Дискретные полупроводники
Заказать
