+7(916) 225-43-02

TS61002-QFNR (FULL BRIDGE HIGH VOLTAGE FET DRI)

TS61002-QFNR (FULL BRIDGE HIGH VOLTAGE FET DRI)
Интегральные микросхемы Микросхемы управления электропитанием - Управление питанием - Специальные
Доставка TS61002-QFNR по России Микросхемы управления электропитанием - Управление питанием - Специальные TS61002-QFNR Semtech Corporation в нашем каталоге. В наличии TS61002-QFNR с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (FULL BRIDGE HIGH VOLTAGE FET DRI).

TS61002-QFNR характеристики

ПроизводительSemtech Corporation
Серия-
Part StatusActive
УпаковкаCut Tape (CT)
Вид монтажаSurface Mount
Корпус28-VFQFN Exposed Pad
Рабочий ток источника питания420µA
Рабочая температура-40°C ~ 125°C
ПрименениеWireless Power Transmitter
Исполнение корпуса28-QFN (5x5)
Напряжение питания3.5 V ~ 6 V

Рекомендации по подбору

Микросхема TS61002-QFNR — полномостовой высоковольтный драйвер FET от Semtech, оптимизированный для беспроводных передатчиков энергии (Wireless Power Transmitter). При замене необходимо точно учитывать параметры питания 3.5–6 В, малый потребляемый ток 420 мкА и специфику коммутации в резонансных топологиях.

Некорректный подбор аналога может привести к нестабильной работе, перегреву или выходу схемы из строя. Оценивайте совместимость по следующим критериям:

  • Диапазон напряжения и ток потребления — отклонение более 10% нарушит режимы переключения и защиту драйвера.
  • Корпус 28-QFN (5×5 мм) и назначение выводов должны совпадать с оригиналом, иначе потребуется переразводка платы.
  • Рабочая температура от -40 до +125 °C и максимальный выходной ток — ключевые показатели надёжности при нагрузках индуктивного преобразователя.
  • Проверьте встроенный мёртвый интервал (dead-time) и логические уровни управления — несоответствие вызовет сквозные токи и потерю КПД.

Похожие товары