+7(916) 225-43-02

TH58BYG2S3HBAI6 (IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA)

TH58BYG2S3HBAI6 (IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA)
Интегральные микросхемы Модули памяти
Доставка TH58BYG2S3HBAI6 по России Модули памяти TH58BYG2S3HBAI6 Toshiba Memory America, Inc. в нашем каталоге. В наличии TH58BYG2S3HBAI6 с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA).

TH58BYG2S3HBAI6 характеристики

ПроизводительToshiba Memory America
Inc.Серия
Benand™Part Status
ActiveУпаковка
TrayВид монтажа
Surface MountКорпус
67-VFBGAТехнология
FLASH - NAND (SLC)Рабочая температура
-40°C ~ 85°C (TA)Исполнение корпуса
67-VFBGA (6.5x8)Напряжение питания
1.7 V ~ 1.95 VТип памяти
Non-VolatileОбъем памяти
4Gb (512M x 8)Время доступа
25nsMemory Format
FLASHWrite Cycle Time - Word
Page25ns
Memory InterfaceParallel

Как подобрать аналог и проверить совместимость

Перед заказом сравните параметры этой позиции с требованиями вашей схемы и посадочного места.

Что важно проверить:

  • Номинал, допуск и рабочий диапазон температур.
  • Ток/напряжение с запасом под реальную нагрузку.
  • Тип корпуса и габариты для корректного монтажа.
  • Условия применения (частота, нагрев, режим работы).

Нужен аналог для TH58BYG2S3HBAI6? Отправьте артикул и требования через форму ниже — подберем совместимую замену.

Похожие товары