TC58NYG2S0HBAI6 (IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA)

Доставка TC58NYG2S0HBAI6 по России Модули памяти TC58NYG2S0HBAI6 Toshiba Memory America, Inc. в нашем каталоге. В наличии TC58NYG2S0HBAI6 с доставкой по всей России через транспортные компании. Цена от 1221.60 руб. Срок поставки уточняйте. (IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA).
TC58NYG2S0HBAI6 характеристики
| Производитель | Toshiba Memory America |
|---|---|
| Inc. | Серия |
| - | Part Status |
| Active | Упаковка |
| Tray | Вид монтажа |
| Surface Mount | Корпус |
| 67-VFBGA | Технология |
| FLASH - NAND (SLC) | Рабочая температура |
| -40°C ~ 85°C (TA) | Исполнение корпуса |
| 67-VFBGA (6.5x8) | Напряжение питания |
| 1.7 V ~ 1.95 V | Тип памяти |
| Non-Volatile | Объем памяти |
| 4Gb (512M x 8) | Время доступа |
| 25ns | Memory Format |
| FLASH | Write Cycle Time - Word |
| Page | 25ns |
| Memory Interface | Parallel |
Как подобрать аналог и проверить совместимость
Перед заказом сравните параметры этой позиции с требованиями вашей схемы и посадочного места.
Что важно проверить:
- Номинал, допуск и рабочий диапазон температур.
- Ток/напряжение с запасом под реальную нагрузку.
- Тип корпуса и габариты для корректного монтажа.
- Условия применения (частота, нагрев, режим работы).
Нужен аналог для TC58NYG2S0HBAI6? Отправьте артикул и требования через форму ниже — подберем совместимую замену.
Похожие товары
MP2562DQ-LF-P (IC REG BUCK ADJ 1A)
Категория:
Интегральные микросхемы
900₽
ЗаказатьMIC5318-1.3YD5-TR (IC REG LIN 1.3V 300MA TSOT23-5)
Категория:
Интегральные микросхемы
84₽
ЗаказатьADP1763ACPZ-1.1-R7 (IC REG LINEAR 1.1V 3A 16LFCSP)
Категория:
Интегральные микросхемы
3554.40₽
ЗаказатьST1S03APUR (IC REG BUCK ADJ 1.5A DFN6D)
Категория:
Интегральные микросхемы
226.80₽
Заказать
