TC58NVG0S3HBAI6 (IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA)
Доставка TC58NVG0S3HBAI6 по России Модули памяти TC58NVG0S3HBAI6 Toshiba Memory America, Inc. в нашем каталоге. В наличии TC58NVG0S3HBAI6 с доставкой по всей России через транспортные компании. Цена от 812.40 руб. Срок поставки уточняйте. (IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA).
TC58NVG0S3HBAI6 характеристики
| Производитель | Toshiba Memory America |
|---|---|
| Inc. | Серия |
| - | Part Status |
| Active | Упаковка |
| Tray | Вид монтажа |
| Surface Mount | Корпус |
| 67-VFBGA | Технология |
| FLASH - NAND (SLC) | Рабочая температура |
| -40°C ~ 85°C (TA) | Исполнение корпуса |
| 67-VFBGA (6.5x8) | Напряжение питания |
| 2.7 V ~ 3.6 V | Тип памяти |
| Non-Volatile | Объем памяти |
| 1Gb (128M x 8) | Время доступа |
| 25ns | Memory Format |
| FLASH | Write Cycle Time - Word |
| Page | 25ns |
| Memory Interface | Parallel |
Как подобрать аналог и проверить совместимость
Перед заказом сравните параметры этой позиции с требованиями вашей схемы и посадочного места.
Что важно проверить:
- Номинал, допуск и рабочий диапазон температур.
- Ток/напряжение с запасом под реальную нагрузку.
- Тип корпуса и габариты для корректного монтажа.
- Условия применения (частота, нагрев, режим работы).
Нужен аналог для TC58NVG0S3HBAI6? Отправьте артикул и требования через форму ниже — подберем совместимую замену.
Похожие товары
TSX562AIST (IC OPAMP GP 900KHZ 8MINISO)
Категория:
Интегральные микросхемы
685.20
₽
Заказать
R5F51104ADNE#U0 (IC MCU 32BIT 96KB FLASH 48HWQFN)
Категория:
Интегральные микросхемы
Заказать
MT46V64M8BN-5B:D (IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA)
Категория:
Интегральные микросхемы
Заказать
TPS63700DRCR (IC REG BUCK BOOST INV ADJ 10SON)
Категория:
Интегральные микросхемы
640.80
₽
Заказать