SPW20N60CFDFKSA1 (MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-247)

Доставка SPW20N60CFDFKSA1 по России Транзисторы — полевые — одиночные SPW20N60CFDFKSA1 Infineon Technologies в нашем каталоге. В наличии SPW20N60CFDFKSA1 с доставкой по всей России через транспортные компании. Цена от 915.60 руб. Срок поставки уточняйте. (MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-247).
SPW20N60CFDFKSA1 характеристики
| Производитель | Infineon Technologies |
|---|---|
| Серия | CoolMOS™ |
| Part Status | Not For New Designs |
| Упаковка | Tube |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Корпус | TO-247-3 |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Исполнение корпуса | PG-TO247-3 |
| Рассеивание мощности (Макс) | 208W (Tc) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Особенности полевого транзистора | - |
| Напряжение сток-исток ( (Vdss) | 650V |
| Ток стока (Id) @ 25°C | 20.7A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id | Vgs |
| 220 mOhm @ 13.1A | 10V |
| Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id | 5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 124nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2400pF @ 25V |
| Drive Voltage (Max Rds On | Min Rds On) |
| 10V | Vgs (Max) |
Похожие товары
PBPC605 (RECT BRIDGE 4A 600V PBPC6)
Категория:
Дискретные полупроводники
ЗаказатьES2AHM4G (DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA)
Категория:
Дискретные полупроводники
ЗаказатьDSK10E-ET1 (DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL)
Категория:
Дискретные полупроводники
21.12₽
ЗаказатьMURF1620CT (DIODE ARRAY GP 200V 8A TO220FP)
Категория:
Дискретные полупроводники
669.60₽
Заказать