+7(916) 225-43-02

SIDC06D120H8X1SA2 (DIODE GEN PURP 1.2KV 7.5A WAFER)

SIDC06D120H8X1SA2 (DIODE GEN PURP 1.2KV 7.5A WAFER)
Дискретные полупроводники Диоды — выпрямители — одиночные
Доставка SIDC06D120H8X1SA2 по России Диоды — выпрямители — одиночные SIDC06D120H8X1SA2 Infineon Technologies в нашем каталоге. В наличии SIDC06D120H8X1SA2 с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (DIODE GEN PURP 1.2KV 7.5A WAFER).

SIDC06D120H8X1SA2 характеристики

ПроизводительInfineon Technologies
Серия-
Part StatusActive
Тип диодаStandard
Cреднее значение выпрямленного тока (Io)7.5A (DC)
Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If1.97V @ 7.5A
Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)27µA @ 1200V
Максимальное обратное напряжение (Vr)1200V
СкоростьStandard Recovery >500ns
> 200mA (Io)Рабочая температура pn-прехода
-40°C ~ 175°CЕмкость @ Vr
F-

Рекомендации по подбору

Ключевые параметры для подбора функционального аналога: максимальное обратное напряжение не ниже 1200 В, средний прямой ток с учётом реального охлаждения не менее 7.5 А, прямое падение напряжения при рабочем токе и ток утечки при высокой температуре. Тип исполнения — кристалл/пластина (wafer), поэтому важно проверить размеры и способ монтажа в модуле.

Перед заменой обязательно сравните предельные характеристики из документации: ударный прямой ток, рабочий диапазон температуры перехода и скорость восстановления. При замене в импульсных источниках питания или инверторах нестандартное время обратного восстановления может увеличить потери коммутации.

  • Совместимость: сверяйте обратное напряжение и допустимый прямой ток при конкретной температуре корпуса, а не только номиналы из маркировки.
  • Критерий аналога: подбирайте диод с равным или меньшим падением напряжения (Vf) и близким током утечки при рабочем напряжении.
  • Риски замены: слишком медленный диод вызывает перегрев в высокочастотной схеме; более быстрый диод может давать больше помех.

Похожие товары