SI8235BD-C-IS (DGTL ISO 5KV 2CH GATE DVR 16SOIC)

SI8235BD-C-IS (DGTL ISO 5KV 2CH GATE DVR 16SOIC)
Доставка SI8235BD-C-IS по России Изоляторы - Гальваническая развязка SI8235BD-C-IS Silicon Labs в нашем каталоге. В наличии SI8235BD-C-IS с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (DGTL ISO 5KV 2CH GATE DVR 16SOIC).

SI8235BD-C-IS характеристики

ПроизводительSilicon Labs
СерияAutomotive
AEC-Q100Part Status
ObsoleteУпаковка
TubeВид монтажа
Surface MountКорпус
16-SOIC (0.2957.50mm Width)
ТехнологияCapacitive Coupling
Рабочая температура-40°C ~ 125°C
ОмологацияCQC
CSAUR
VDEКоличество каналов
2Исполнение корпуса
16-SOICНапряжение питания
9.4 V ~ 24 VИзоляционное напряжение
5000VrmsПовторяющийся импульсный ток
4AТок выхода высокий уровень
низкий уровень2A
4AВремя нарастания / Время затухания (Номинальное)
12ns12ns (Max)
Задержка распространения tpLH / tpHL (Макс)60ns
60nsИскажение длительности импульса (Макс)
5.6nsПрямое напряжение (Vf)
-Помехоустойчивость (Мин)

Рекомендации по подбору

SI8235BD-C-IS — двухканальный изолированный драйвер затвора от Silicon Labs на основе ёмкостной связи. Компонент обеспечивает гальваническую развязку до 5 кВ, пиковый выходной ток 4 А и задержку распространения 60 нс. Предназначен для управления силовыми ключами (MOSFET/IGBT) в промышленной и автомобильной электронике. Корпус 16-SOIC, диапазон питания 9,4–24 В, рабочие температуры от –40 до +125 °C.

При подборе аналога или замене необходимо оценивать несколько параметров, чтобы сохранить надёжность схемы. Различия в изоляции, динамических характеристиках и нагрузочной способности могут привести к сбоям или отказу системы. Особое внимание требуют сертификаты безопасности (CQC, CSA, UR, VDE) — их наличие критично для оборудования, работающего в условиях повышенных требований.

  • Проверьте изоляционное напряжение (5 кВ) и тип изоляции (ёмкостная) — аналог должен иметь не меньший уровень развязки, иначе нарушаются требования безопасности.
  • Сравните временные параметры: задержка распространения (<60 нс) и разбаланс длительности импульса (<5,6 нс) — превышение снижает эффективность управления ключами и может вызвать искажения формы сигнала.
  • Убедитесь, что пиковый выходной ток (4 А) и токи высокого/низкого уровня соответствуют ёмкости затвора применяемого транзистора — недостаточный ток увеличит время переключения и потери.
  • Риски при замене: даже при совпадении основных параметров разная ёмкость изоляции или пульсации питания могут спровоцировать ложные включения или ухудшить помехоустойчивость (минимум 25 кВ/мкс по спецификации).

Похожие товары