+7(916) 225-43-02

S34MS02G200GHV000 (IC FLASH 2G PARALLEL)

S34MS02G200GHV000 (IC FLASH 2G PARALLEL)
Интегральные микросхемы Модули памяти
Доставка S34MS02G200GHV000 по России Модули памяти S34MS02G200GHV000 Cypress Semiconductor Corp в нашем каталоге. В наличии S34MS02G200GHV000 с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (IC FLASH 2G PARALLEL).

S34MS02G200GHV000 характеристики

ПроизводительCypress Semiconductor Corp
СерияMS-2
Part StatusActive
ТехнологияFLASH - NAND
Рабочая температура-40°C ~ 105°C (TA)
Напряжение питания1.7 V ~ 1.95 V
Тип памятиNon-Volatile
Объем памяти2Gb (256M x 8)
Время доступа45ns
Memory FormatFLASH
Write Cycle Time - WordPage
45nsMemory Interface

Рекомендации по подбору

Микросхема флэш-памяти S34MS02G200GHV000 от Cypress Semiconductor относится к типу NAND с параллельным интерфейсом и напряжением питания 1,7–1,95 В. Объём 2 Гбит (256М x 8) и время доступа 45 нс позволяют применять её в системах, требующих надёжного хранения кода или данных при температурах от -40 до +105 °C.

При подборе совместимого аналога необходимо учитывать не только объём и тип памяти, но и точное соответствие электрическим параметрам, корпусу и временным характеристикам. Замена без сверки этих параметров может привести к нестабильной работе или выходу устройства из строя, особенно в жёстких условиях эксплуатации.

  • Сравните топологию выводов (pinout) и корпус: у S34MS02G200GHV000 распиновка должна совпадать один‑в‑один с заменяемой микросхемой.
  • Проверьте диапазон напряжений питания (1,7–1,95 В) и ток потребления — даже небольшое отклонение может нарушить работу схемы.
  • Убедитесь в идентичности временны́х параметров (время доступа 45 нс, время цикла записи страницы) и режима быстродействия (Async/Sync).
  • Оцените рабочий температурный диапазон (-40…105 °C) и надёжность (число циклов стирания/записи), особенно для промышленных применений.

Похожие товары