S2KW4C-1P (DIODE GEN PURP 4KV 8A MODULE)
S2KW4C-1P характеристики
| Производитель | Semtech Corporation |
|---|---|
| Серия | - |
| Part Status | Active |
| Упаковка | Bulk |
| Вид монтажа | Chassis Mount |
| Корпус | Module |
| Исполнение корпуса | - |
| Тип диода | Standard |
| Cреднее значение выпрямленного тока (Io) | 8A |
| Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If | 4V @ 6A |
| Ток утечки при Обратном напряжении (Vr) | 2µA @ 4000V |
| Максимальное обратное напряжение (Vr) | 4000V |
| Скорость | Standard Recovery >500ns |
| > 200mA (Io) | Время восстановления запорного слоя (trr) |
| 2µs | Рабочая температура pn-прехода |
| -55°C ~ 150°C | Емкость @ Vr |
| F | - |
Рекомендации по подбору
При подборе аналога для S2KW4C-1P (высоковольтный диод 4 кВ, 8 А, стандартное восстановление) в первую очередь учитываются максимальное обратное напряжение (не менее 4 кВ) и средний выпрямленный ток (8 А). Корпус типа Module с монтажом на шасси определяет механическую совместимость — замена возможна только при идентичных габаритах и креплении. Важны также прямое падение напряжения (4 В при 6 А) и ток утечки (2 мкА при 4 кВ); отклонения могут повлиять на тепловой режим.
Для высоковольтных цепей критично время восстановления (trr 2 мкс). Если применение не требует быстрого переключения, допустимы диоды со стандартным восстановлением; для высокочастотных схем необходимы ultrafast. Проверяйте рабочий диапазон температур (−55…+150 °C) и тепловое сопротивление — при замене на диод в другом корпусе может потребоваться пересчёт радиатора.
- Убедитесь, что обратное напряжение аналога ≥ 4 кВ, а максимальный импульсный ток не ниже пиковых нагрузок схемы.
- Сравните прямую вольт-амперную характеристику: более высокое Vf увеличит потери и нагрев.
- При замене на диод с другим корпусом (например, DO-214) требуется переработать крепление и отвод тепла — модули часто имеют изолированное основание.
Похожие товары
ER301-AP (DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD)
VS-30CTH03PBF (DIODE ARRAY GP 300V 15A TO220AB)
SCAJ6 (BRIDGE RECT 2A 600V)
