+7(916) 225-43-02

S29VS064RABBHW000 (IC FLASH 64M PARALLEL 44FBGA)

S29VS064RABBHW000 (IC FLASH 64M PARALLEL 44FBGA)
Интегральные микросхемы Модули памяти
Доставка S29VS064RABBHW000 по России Модули памяти S29VS064RABBHW000 Cypress Semiconductor Corp в нашем каталоге. В наличии S29VS064RABBHW000 с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (IC FLASH 64M PARALLEL 44FBGA).

S29VS064RABBHW000 характеристики

ПроизводительCypress Semiconductor Corp
СерияVS-R
Part StatusActive
УпаковкаTray
Вид монтажаSurface Mount
Корпус44-VFBGA
ТехнологияFLASH - NOR
Рабочая температура-25°C ~ 85°C (TA)
Исполнение корпуса44-FBGA (7.5x5)
Напряжение питания1.7 V ~ 1.95 V
Тип памятиNon-Volatile
Объем памяти64Mb (4M x 16)
Clock Frequency108MHz
Время доступа80ns
Memory FormatFLASH
Write Cycle Time - WordPage
60nsMemory Interface

Рекомендации по подбору

Микросхема S29VS064RABBHW000 — это параллельная NOR Flash память объёмом 64 Мбит (организация 4M×16) в корпусе 44-FBGA. Она работает при напряжении 1,7–1,95 В, обеспечивает время доступа 80 нс и тактовую частоту до 108 МГц. Устройство применяется в встраиваемых системах, где требуется надёжное хранение кода при низком энергопотреблении. При поиске аналога критично проверить соответствие по напряжению, корпусу и временным параметрам.

Замена допустима только при полном совпадении электрических и механических характеристик. Ниже приведены ключевые критерии проверки совместимости и возможные риски.

  • Напряжение питания: искать альтернативу с диапазоном 1,7–1,95 В (или 1,8 В номинал). Отклонение более 0,1 В может вызвать сбои.
  • Корпус и цоколёвка: только 44-FBGA (7,5×5 мм) с идентичной распиновкой. Даже малое несовпадение контактов исключает прямую замену.
  • Время доступа и тактовая частота: tACC не более 80 нс, частота не ниже 108 МГц. Более медленный аналог снизит производительность системы.
  • Особенности записи: страничный режим и тайминги цикла записи (Page Write) могут отличаться — требуют верификации в документации.

Похожие товары