+7(916) 225-43-02

S29GL512S11GHIV20 (IC FLASH 512M PARALLEL 56BGA)

S29GL512S11GHIV20 (IC FLASH 512M PARALLEL 56BGA)
Интегральные микросхемы Модули памяти
Доставка S29GL512S11GHIV20 по России Модули памяти S29GL512S11GHIV20 Cypress Semiconductor Corp в нашем каталоге. В наличии S29GL512S11GHIV20 с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (IC FLASH 512M PARALLEL 56BGA).

S29GL512S11GHIV20 характеристики

ПроизводительCypress Semiconductor Corp
СерияGL-S
Part StatusActive
УпаковкаTray
Вид монтажаSurface Mount
Корпус56-VFBGA
ТехнологияFLASH - NOR
Рабочая температура-40°C ~ 85°C (TA)
Исполнение корпуса56-Fortified BGA (9x7)
Напряжение питания1.65 V ~ 3.6 V
Тип памятиNon-Volatile
Объем памяти512Mb (32M x 16)
Время доступа110ns
Memory FormatFLASH
Write Cycle Time - WordPage
60nsMemory Interface

Рекомендации по подбору

Микросхема S29GL512S11GHIV20 — NOR flash-накопитель объемом 512 Мбит с параллельным интерфейсом, в корпусе 56-VFBGA. Предназначена для хранения кода и данных в системах, где важна высокая скорость чтения и надежность хранения при температурах от -40 до +85 °C.

При подборе аналога необходимо сверять не только объем и тип памяти, но и электрические параметры: напряжение питания 1.65–3.6 В, время доступа 110 нс, а также расположение выводов и корпус. Использование микросхемы с другими характеристиками может привести к сбоям при чтении/записи или повреждению данных из-за несоответствия таймингов.

  • Критерии выбора: объем и организация (32M x 16), тип NOR, параллельный интерфейс, корпус 56-BGA.
  • Проверка совместимости: сверьте цоколевку и назначение выводов с оригиналом; убедитесь, что напряжение питания и время доступа соответствуют спецификации устройства.
  • Риски при замене: несоответствие таймингов (например, 110ns) может вызывать ошибки чтения; различия в алгоритмах стирания/записи могут потребовать изменения драйвера.
  • Учитывайте рабочую температуру и условия эксплуатации, чтобы избежать отказов в жестких режимах.

Похожие товары