+7(916) 225-43-02

S29GL128S90DHSS33 (IC FLASH 128M PARALLEL 64BGA)

S29GL128S90DHSS33 (IC FLASH 128M PARALLEL 64BGA)
Интегральные микросхемы Модули памяти
Доставка S29GL128S90DHSS33 по России Модули памяти S29GL128S90DHSS33 Cypress Semiconductor Corp в нашем каталоге. В наличии S29GL128S90DHSS33 с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (IC FLASH 128M PARALLEL 64BGA).

S29GL128S90DHSS33 характеристики

ПроизводительCypress Semiconductor Corp
СерияGL-S
Part StatusActive
УпаковкаTape & Reel (TR)
Вид монтажаSurface Mount
Корпус64-LBGA
ТехнологияFLASH - NOR
Рабочая температура0°C ~ 85°C (TA)
Исполнение корпуса64-Fortified BGA (9x9)
Напряжение питания2.7 V ~ 3.6 V
Тип памятиNon-Volatile
Объем памяти128Mb (8M x 16)
Время доступа90ns
Memory FormatFLASH
Write Cycle Time - WordPage
60nsMemory Interface

Рекомендации по подбору

Микросхема S29GL128S90DHSS33 — NOR Flash память 128 Мбит с параллельным интерфейсом в корпусе 64-BGA. Рабочее напряжение 2,7–3,6 В, время доступа 90 нс, диапазон температур 0…+85 °C. Применяется для хранения загрузочного кода и данных в промышленной и телекоммуникационной аппаратуре.

При выборе аналога критично учитывать совместимость по электрическим и механическим параметрам. Ошибки могут привести к нестабильной работе или выходу устройства из строя. Обратите внимание на следующие критерии:

  • Корпус и цоколевка: 64-контактный BGA (9x9 мм) с шагом шариков 0,8 мм. Любое отклонение требует переработки печатной платы.
  • Напряжение питания: допустимый диапазон Vcc должен точно соответствовать 2,7–3,6 В, иначе возможны сбои при записи или чтении.
  • Временные параметры: время доступа не должно превышать 90 нс, а также проверьте цикл записи страницы — замена на более медленную память приведёт к падению производительности.
  • Температурный диапазон: для замены в условиях холодного пуска или нагрева убедитесь, что аналог перекрывает 0…+85 °C; применение промышленного аналога (-40…+85 °C) допустимо, но обратная замена может быть рискованной.

Похожие товары