+7(916) 225-43-02

S29GL01GS11DHSS10 (IC FLASH 1G PARALLEL 64BGA)

S29GL01GS11DHSS10 (IC FLASH 1G PARALLEL 64BGA)
Интегральные микросхемы Модули памяти
Доставка S29GL01GS11DHSS10 по России Модули памяти S29GL01GS11DHSS10 Cypress Semiconductor Corp в нашем каталоге. В наличии S29GL01GS11DHSS10 с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (IC FLASH 1G PARALLEL 64BGA).

S29GL01GS11DHSS10 характеристики

ПроизводительCypress Semiconductor Corp
СерияGL-S
Part StatusActive
УпаковкаTray
Вид монтажаSurface Mount
Корпус64-LBGA
ТехнологияFLASH - NOR
Рабочая температура0°C ~ 85°C (TA)
Исполнение корпуса64-Fortified BGA (9x9)
Напряжение питания2.7 V ~ 3.6 V
Тип памятиNon-Volatile
Объем памяти1Gb (64M x 16)
Время доступа110ns
Memory FormatFLASH
Write Cycle Time - WordPage
60nsMemory Interface

Рекомендации по подбору

Микросхема S29GL01GS11DHSS10 представляет собой NOR Flash-память объемом 1 Гбит с параллельным интерфейсом и временем доступа 110 нс. Корпус 64-Fortified BGA (9x9 мм) и напряжение питания 2,7–3,6 В определяют совместимость с проектами, где требуется высокая скорость чтения и надежность хранения кода.

При подборе функционального аналога учитывайте три ключевых параметра: тип корпуса (BGA-64), напряжение питания и временные характеристики (access time). Прямая замена возможна только при совпадении цоколевки и электрических спецификаций.

  • Проверьте совместимость по корпусу: замена на BGA-64 с другим шагом выводов потребует перекомпоновки платы.
  • Убедитесь, что альтернатива поддерживает параллельный интерфейс NOR Flash с таким же временем доступа (≤110 нс) для сохранения производительности.
  • Риски при замене: несоответствие напряжения (например, 1,8 В вместо 3,3 В) может привести к отказу схемы или повреждению микросхемы.
  • Для критичных применений проверьте команды стирания/записи и логику управления WP/HOLD — различия в протоколе возможны даже у совместимых по выводам аналогов.

Похожие товары