+7(916) 225-43-02

S26KS512SDGBHI030 (IC FLASH 512M PARALLEL 24FBGA)

S26KS512SDGBHI030 (IC FLASH 512M PARALLEL 24FBGA)
Интегральные микросхемы Модули памяти
Доставка S26KS512SDGBHI030 по России Модули памяти S26KS512SDGBHI030 Cypress Semiconductor Corp в нашем каталоге. В наличии S26KS512SDGBHI030 с доставкой по всей России через транспортные компании. Цена от 3049.20 руб. Срок поставки уточняйте. (IC FLASH 512M PARALLEL 24FBGA).

S26KS512SDGBHI030 характеристики

ПроизводительCypress Semiconductor Corp
СерияHyperFlash™ KS
Part StatusActive
УпаковкаTray
Вид монтажаSurface Mount
Корпус24-VBGA
ТехнологияFLASH - NOR
Рабочая температура-40°C ~ 85°C (TA)
Исполнение корпуса24-FBGA (6x8)
Напряжение питания1.7 V ~ 1.95 V
Тип памятиNon-Volatile
Объем памяти512Mb (64M x 8)
Clock Frequency133MHz
Время доступа96ns
Memory FormatFLASH
Write Cycle Time - WordPage
-Memory Interface

Рекомендации по подбору

Микросхема S26KS512SDGBHI030 представляет собой NOR Flash память объемом 512 Мбит с параллельным интерфейсом, выполненную в корпусе 24-FBGA. Она предназначена для встраиваемых систем, где требуется высокая скорость чтения и надежность хранения кода при напряжении питания 1,8 В. При подборе аналога важно учитывать не только объем и тип памяти, но и электрические параметры, временные характеристики и корпус. Несовпадение по напряжению или цоколевке может привести к отказу устройства.
  • Проверяйте тип интерфейса: параллельный NOR Flash должен совпадать по ширине шины (8 бит) и системе команд.
  • Сверяйте напряжение питания (1,7–1,95 В), частоту (до 133 МГц) и время доступа (96 нс) с требованиями вашего контроллера.
  • Убедитесь, что корпус 24-FBGA с размерами 6x8 мм и расположение выводов совместимы с посадочным местом на плате.
  • Риски: использование неоригинального аналога может привести к сбоям при записи, снижению срока хранения данных или повреждению микросхемы из-за несоответствия параметров.

Похожие товары