RMLV0414EGSB-4S2#AA1 (IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II)

RMLV0414EGSB-4S2#AA1 (IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II)
Доставка RMLV0414EGSB-4S2#AA1 по России Модули памяти RMLV0414EGSB-4S2#AA1 Renesas Electronics America в нашем каталоге. В наличии RMLV0414EGSB-4S2#AA1 с доставкой по всей России через транспортные компании. Цена от 1153.20 руб. Срок поставки уточняйте. (IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II).

RMLV0414EGSB-4S2#AA1 характеристики

ПроизводительRenesas Electronics America
Серия-
Part StatusActive
УпаковкаTray
Вид монтажаSurface Mount
Корпус44-TSOP (0.400
10.16mm Width)Технология
SRAMРабочая температура
-40°C ~ 85°C (TA)Исполнение корпуса
44-TSOP IIНапряжение питания
2.7 V ~ 3.6 VТип памяти
VolatileОбъем памяти
4Mb (256K x 16)Время доступа
45nsMemory Format
SRAMWrite Cycle Time - Word
Page45ns
Memory InterfaceParallel"

Рекомендации по подбору

При подборе аналога для RMLV0414EGSB-4S2#AA1 необходимо учитывать три ключевых параметра: объём памяти (4 Мбит, организация 256K×16), время доступа (45 нс) и напряжение питания (2,7–3,6 В). Корпус 44-TSOP II и параллельный интерфейс должны совпадать. Отклонение по напряжению или временным характеристикам может привести к нестабильной работе схемы.

Перед заменой обязательно проверьте совместимость по цоколёвке и сигнальным уровням. Даже при совпадении основных параметров возможны отличия в таймингах записи/чтения или температурном диапазоне. Используйте даташиты для сравнительного анализа.

  • Сверяйте организацию памяти (разрядность шины данных) – для данной ИС это x16, замена на x8 или x32 потребует переделки схемы.
  • Учитывайте рабочую температуру: если аналог имеет диапазон только 0…70°C, он не подойдёт для промышленных условий.
  • Проверяйте время доступа (tAA), write cycle time и другие тайминги – даже незначительное увеличение может вызвать сбои в синхронных интерфейсах.
  • Обратите внимание на наличие функции page mode (указано 45ns write cycle time page) – отсутствие этой опции у аналога может снизить производительность.

Похожие товары