RBR3L60ATE25 (DIODE SCHOTTKY 60V 3A PMDS)
RBR3L60ATE25 характеристики
| Производитель | Rohm Semiconductor |
|---|---|
| Серия | - |
| Part Status | Discontinued at Digi-Key |
| Упаковка | Cut Tape (CT) |
| Вид монтажа | Surface Mount |
| Корпус | DO-214AC |
| SMA | Исполнение корпуса |
| PMDS | Тип диода |
| Schottky | Cреднее значение выпрямленного тока (Io) |
| 3A | Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If |
| 660mV @ 3A | Ток утечки при Обратном напряжении (Vr) |
| 100µA @ 60V | Максимальное обратное напряжение (Vr) |
| 60V | Скорость |
| Fast Recovery = 200mA (Io) | Рабочая температура pn-прехода |
| 150°C (Max) | Емкость @ Vr |
| F | - |
Рекомендации по подбору
Диод Шоттки RBR3L60ATE25 (Rohm Semiconductor) рассчитан на обратное напряжение до 60 В и прямой ток до 3 А. Выполнен в корпусе DO-214AC (SMA) для поверхностного монтажа. Характеризуется низким прямым падением напряжения (660 мВ при 3 А) и быстрым восстановлением, что делает его пригодным для вторичных выпрямителей, DC/DC-преобразователей и защитных цепей. Важно учитывать, что данный компонент снят с производства у ряда дистрибьюторов, поэтому при замене требуется тщательный подбор аналога.
При выборе замены критично оценить совместимость по ключевым параметрам. Основные риски при замене — превышение допустимого обратного напряжения, перегрев из-за более высокого прямого падения или несоответствие корпуса, что может нарушить тепловой режим и монтаж. Ниже приведены практические критерии для подбора аналога.
- Максимальное обратное напряжение (VRRM) должно быть не ниже 60 В. Замена на диод с меньшим напряжением приведёт к пробою. Рекомендуется выбирать с запасом 10–20%.
- Средний прямой ток (IF(AV)) — не менее 3 А. Учитывайте также импульсные токи и температуру корпуса: при 150 °C допустимый ток снижается.
- Корпус и тепловые характеристики: замена возможна только в том же типоразмере (DO-214AC/SMA) или с переработкой платы. Обратите внимание на прямое падение напряжения (VF) и тепловое сопротивление — более высокий VF увеличит нагрев.
- Обратный ток утечки (IR) и быстродействие: для высокочастотных схем важна малая ёмкость и время восстановления. Для RBR3L60ATE25 типичный IR — 100 мкА при 60 В, это следует учитывать при выборе аналога.