+7(916) 225-43-02

R1LV5256ESA-5SI#B1 (IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP)

R1LV5256ESA-5SI#B1 (IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP)
Интегральные микросхемы Модули памяти
Доставка R1LV5256ESA-5SI#B1 по России Модули памяти R1LV5256ESA-5SI#B1 Renesas Electronics America в нашем каталоге. В наличии R1LV5256ESA-5SI#B1 с доставкой по всей России через транспортные компании. Цена от 567.60 руб. Срок поставки уточняйте. (IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP).

R1LV5256ESA-5SI#B1 характеристики

ПроизводительRenesas Electronics America
Серия-
Part StatusActive
УпаковкаTray
Вид монтажаSurface Mount
Корпус28-TSSOP (0.465
11.80mm Width)Технология
SRAMРабочая температура
-40°C ~ 85°C (TA)Исполнение корпуса
28-TSOPНапряжение питания
2.7 V ~ 3.6 VТип памяти
VolatileОбъем памяти
256Kb (32K x 8)Время доступа
55nsMemory Format
SRAMWrite Cycle Time - Word
Page55ns
Memory InterfaceParallel"

Рекомендации по подбору

Микросхема R1LV5256ESA-5SI#B1 представляет собой статическую память (SRAM) объёмом 256 Кбит (32K × 8) с параллельным интерфейсом, работающую в диапазоне напряжений 2,7–3,6 В и обеспечивающую время доступа 55 нс. Корпус 28-TSOP (TSSOP), монтаж на поверхность. Диапазон рабочих температур от –40 до +85 °C позволяет использовать компонент в промышленных устройствах.

При подборе функционального аналога или замены необходимо учитывать ключевые параметры, чтобы избежать сбоев в работе устройства. Ниже приведены основные критерии и типовые риски.

  • Совместимость по интерфейсу: обязателен параллельный доступ (Parallel). Проверьте количество выводов, цоколёвку (pin‑to‑pin) и тип корпуса (28‑TSOP). Несоответствие распиновки требует переработки платы.
  • Электрические параметры: напряжение питания, потребляемый ток и время доступа (55 нс). Замена на микросхему с меньшим быстродействием может нарушить временные диаграммы; превышение напряжения выводит компонент из строя.
  • Температурный диапазон: промышленный (–40…+85 °C). Использование коммерческого аналога (0…+70 °C) приведёт к отказам в жёстких условиях эксплуатации.
  • Риски при замене: недопустимо ставить SRAM с другой организацией (например, 64K × 4 вместо 32K × 8) – изменится адресное пространство. Также обращайте внимание на технологию (Volatile) и наличие страничного режима (Page Write Cycle 55 ns), указанного в даташите.

Похожие товары