PMEG4020EPK,315 (DIODE SCHOTTKY 40V 2A 2DFN)

Доставка PMEG4020EPK,315 по России Диоды — выпрямители — одиночные PMEG4020EPK,315 Nexperia USA Inc. в нашем каталоге. В наличии PMEG4020EPK,315 с доставкой по всей России через транспортные компании. Цена от 114 руб. Срок поставки уточняйте. (DIODE SCHOTTKY 40V 2A 2DFN).
PMEG4020EPK
| 315 характеристики | Производитель |
|---|---|
| Nexperia USA Inc. | Серия |
| - | Part Status |
| Active | Упаковка |
| Cut Tape (CT) | Вид монтажа |
| Surface Mount | Корпус |
| 2-XDFN | Исполнение корпуса |
| DFN1608D-2 | Тип диода |
| Schottky | Cреднее значение выпрямленного тока (Io) |
| 2A | Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If |
| 660mV @ 2A | Ток утечки при Обратном напряжении (Vr) |
| 5µA @ 10V | Максимальное обратное напряжение (Vr) |
| 40V | Скорость |
| Fast Recovery = 200mA (Io) | Время восстановления запорного слоя (trr) |
| 4ns | Рабочая температура pn-прехода |
| 150°C (Max) | Емкость @ Vr |
| F | 90pF @ 1V |
Рекомендации по подбору
При подборе аналога диода Шоттки PMEG4020EPK критичны параметры: максимальное обратное напряжение (40 В), средний выпрямленный ток (2 А) и прямое падение напряжения (660 мВ при 2 А). Также важны динамические характеристики: время восстановления (4 нс) и ёмкость перехода (90 пФ при 1 В), влияющие на частотные свойства схемы.
Для замены убедитесь, что альтернативный диод имеет совместимый корпус (2DFN/DFN1608D-2) и схожую тепловую модель. Особое внимание уделите току утечки при рабочем обратном напряжении — у PMEG4020EPK он составляет 5 мкА при 10 В, что типично для низковольтных диодов Шоттки.
- Критерии выбора аналога: сопоставление V_RRM, I_F(AV), V_F, t_rr и C_j. Допустимые отклонения зависят от запаса по напряжению и току в схеме.
- Проверка совместимости: сверьте размеры и расположение выводов корпуса DFN. Уточните максимально допустимую температуру перехода (150 °C) и тепловое сопротивление.
- Риски при замене: замена на диод с большим V_F увеличит потери и нагрев; меньший запас по напряжению (например, 30 В вместо 40 В) может вызвать пробой при импульсных выбросах. Различия в ёмкости приведут к изменению формы импульсов в высокочастотных цепях.
Похожие товары
MBRF20035R (DIODE SCHOTTKY 35V 100A TO244AB)
Категория:
Дискретные полупроводники
ЗаказатьSTPS20200CTN (DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO220)
Категория:
Дискретные полупроводники
ЗаказатьBAV19WS-G3-08 (DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD323)
Категория:
Дискретные полупроводники
79.20₽
ЗаказатьFESB8AT-E3/81 (DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB)
Категория:
Дискретные полупроводники
Заказать

