NRVBM110LT3G (DIODE SCHOTTKY 10V 1A POWERMITE)

NRVBM110LT3G (DIODE SCHOTTKY 10V 1A POWERMITE)
Доставка NRVBM110LT3G по России Диоды — выпрямители — одиночные NRVBM110LT3G ON Semiconductor в нашем каталоге. В наличии NRVBM110LT3G с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (DIODE SCHOTTKY 10V 1A POWERMITE).

NRVBM110LT3G характеристики

ПроизводительON Semiconductor
СерияPOWERMITE®
Part StatusActive
УпаковкаTape & Reel (TR)
Вид монтажаSurface Mount
КорпусDO-216AA
Исполнение корпусаPowermite
Тип диодаSchottky
Cреднее значение выпрямленного тока (Io)1A
Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If415mV @ 2A
Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)500µA @ 10V
Максимальное обратное напряжение (Vr)10V
СкоростьFast Recovery = 200mA (Io)
Рабочая температура pn-прехода-55°C ~ 125°C
Емкость @ VrF

Рекомендации по подбору

Диод Шоттки NRVBM110LT3G (10 В, 1 А) в корпусе DO-216AA Powermite применяется в низковольтных цепях с высокочастотной коммутацией. При подборе аналога необходимо сопоставить не только предельные электрические параметры, но и тепловые, корпусные и импульсные характеристики.

Проверка совместимости включает анализ посадочного места, теплового сопротивления и частотных свойств. Даже незначительное превышение прямого падения напряжения или обратного тока может привести к перегреву или снижению КПД устройства.

  • Максимальное обратное напряжение (VR): не ниже 10 В (рекомендуется запас 20–30 % для надёжности при пульсациях).
  • Средний выпрямленный ток (IO): min 1 А с учётом температуры корпуса; для аналога проверьте ток при 125 °C.
  • Прямое падение напряжения (VF): у NRVBM110LT3G 415 мВ @ 2 А – аналог с большим VF увеличит потери.
  • Корпус и монтаж: DO-216AA (Powermite) – другой корпус может не подойти по размерам и отводу тепла.

Риски замены: несовпадение тепловых режимов, рост обратного тока при повышенной температуре, ухудшение помехоэмиссии из-за изменения ёмкости перехода. Всегда тестируйте аналог в реальных условиях схемы.

Похожие товары