NRVBM110ET1G (DIODE SCHOTTKY 10V 1A POWERMITE)

Доставка NRVBM110ET1G по России Диоды — выпрямители — одиночные NRVBM110ET1G ON Semiconductor в нашем каталоге. В наличии NRVBM110ET1G с доставкой по всей России через транспортные компании. Цена от 121.20 руб. Срок поставки уточняйте. (DIODE SCHOTTKY 10V 1A POWERMITE).
NRVBM110ET1G характеристики
| Производитель | ON Semiconductor |
|---|---|
| Серия | POWERMITE® |
| Part Status | Active |
| Упаковка | Cut Tape (CT) |
| Вид монтажа | Surface Mount |
| Корпус | DO-216AA |
| Исполнение корпуса | Powermite |
| Тип диода | Schottky |
| Cреднее значение выпрямленного тока (Io) | 1A |
| Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If | 595mV @ 2A |
| Ток утечки при Обратном напряжении (Vr) | 1µA @ 10V |
| Максимальное обратное напряжение (Vr) | 10V |
| Скорость | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Рабочая температура pn-прехода | -55°C ~ 150°C |
| Емкость @ Vr | F |
Рекомендации по подбору
При замене диода Шоттки NRVBM110ET1G (10 В, 1 А, корпус DO-216AA) критически важно сохранить электрические параметры и тепловой режим. Оригинальный компонент имеет низкое прямое падение 595 мВ при 2 А и обратный ток утечки 1 мкА, что характерно для быстродействующих выпрямителей. Аналог должен обеспечивать такую же или лучшую эффективность, не выходя за пределы рабочих температур −55…150 °C.
Подбор аналога начинается с проверки максимального обратного напряжения (не менее 10 В) и среднего прямого тока (не менее 1 А). Также необходимо учитывать корпус, частотные свойства и тепловое сопротивление. Ниже приведены основные критерии и риски при замене.
- Обратное напряжение: замена на диод с VR< 10 В гарантированно вызовет пробой. Использование детали с запасом (например, 15–20 В) допустимо, но может увеличить прямое падение и стоимость.
- Прямой ток: выбирайте диод с IF ≥ 1 A. Для импульсных нагрузок необходим запас 50–100%, иначе возможен тепловой разгон.
- Корпус и монтаж: только поверхностный монтаж; посадочное место должно совпадать с DO-216AA. Несовместимость корпусов (например, SMA или SMB) требует переработки платы.
- Тепловые и частотные параметры: обращайте внимание на температуру перехода (≤150 °C) и время восстановления. Замена на диод с худшей теплопроводностью или большей ёмкостью снизит надёжность и КПД схемы.
Похожие товары
IDH04G65C5XKSA2 (DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220-2-1)
Категория:
Дискретные полупроводники
733.20₽
ЗаказатьBAS116V-7 (DIODE ARRAY GP 85V 215MA SOT563)
Категория:
Дискретные полупроводники
116.40₽
ЗаказатьDSEP30-06B (DIODE GP 600V 30A ISOPLUS247)
Категория:
Дискретные полупроводники
1393.20₽
ЗаказатьMUR7020R (DIODE GEN PURP REV 200V 70A DO5)
Категория:
Дискретные полупроводники
Заказать
