NAND512W3A2SE06 (IC FLASH 512M PARALLEL)
Доставка NAND512W3A2SE06 по России Модули памяти NAND512W3A2SE06 Micron Technology Inc. в нашем каталоге. В наличии NAND512W3A2SE06 с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (IC FLASH 512M PARALLEL).
NAND512W3A2SE06 характеристики
| Производитель | Micron Technology Inc. |
|---|---|
| Серия | - |
| Part Status | Obsolete |
| Технология | FLASH - NAND |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Напряжение питания | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Тип памяти | Non-Volatile |
| Объем памяти | 512Mb (64M x 8) |
| Время доступа | 50ns |
| Memory Format | FLASH |
| Write Cycle Time - Word | Page |
| 50ns | Memory Interface |
Как подобрать аналог и проверить совместимость
Перед заказом сравните параметры этой позиции с требованиями вашей схемы и посадочного места.
Что важно проверить:
- Номинал, допуск и рабочий диапазон температур.
- Ток/напряжение с запасом под реальную нагрузку.
- Тип корпуса и габариты для корректного монтажа.
- Условия применения (частота, нагрев, режим работы).
Нужен аналог для NAND512W3A2SE06? Отправьте артикул и требования через форму ниже — подберем совместимую замену.
Похожие товары
XC5VTX150T-2FFG1156C (IC FPGA 360 I/O 1156FCBGA)
Категория:
Интегральные микросхемы
Заказать
LM1086ILDX-5.0/NOPB (IC REG LINEAR 5V 1.5A 8WSON)
Категория:
Интегральные микросхемы
Заказать
ADSP-BF514KBCZ-4 (IC DSP 16/32B 400MHZ 168CSBGA)
Категория:
Интегральные микросхемы
7333.20
₽
Заказать
AS4C256M8D2-25BCNTR (IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA)
Категория:
Интегральные микросхемы
Заказать