NAND512R3A2SE06 (IC FLASH 512M PARALLEL)
Доставка NAND512R3A2SE06 по России Модули памяти NAND512R3A2SE06 Micron Technology Inc. в нашем каталоге. В наличии NAND512R3A2SE06 с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (IC FLASH 512M PARALLEL).
NAND512R3A2SE06 характеристики
| Производитель | Micron Technology Inc. |
|---|---|
| Серия | - |
| Part Status | Obsolete |
| Технология | FLASH - NAND |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Напряжение питания | 1.7 V ~ 1.95 V |
| Тип памяти | Non-Volatile |
| Объем памяти | 512Mb (64M x 8) |
| Время доступа | 50ns |
| Memory Format | FLASH |
| Write Cycle Time - Word | Page |
| 50ns | Memory Interface |
Как подобрать аналог и проверить совместимость
Перед заказом сравните параметры этой позиции с требованиями вашей схемы и посадочного места.
Что важно проверить:
- Номинал, допуск и рабочий диапазон температур.
- Ток/напряжение с запасом под реальную нагрузку.
- Тип корпуса и габариты для корректного монтажа.
- Условия применения (частота, нагрев, режим работы).
Нужен аналог для NAND512R3A2SE06? Отправьте артикул и требования через форму ниже — подберем совместимую замену.
Похожие товары
ISL61853KIRZ-T (IC USB PWR CTRLR DUAL 10DFN)
Категория:
Интегральные микросхемы
ЗаказатьAOZ1375DI (IC LOAD SW BIDIRECTION 20V 5A)
Категория:
Интегральные микросхемы
ЗаказатьMB90022PF-GS-429E1 (IC MCU 16B FFMC-16F-0.35 100QFP)
Категория:
Интегральные микросхемы
ЗаказатьS912XEG128BCAAR (16-BIT MCU S12X CORE 128KB FLA)
Категория:
Интегральные микросхемы
2583.60₽
Заказать


