NAND04GW3C2BN6E (IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP)
Доставка NAND04GW3C2BN6E по России Модули памяти NAND04GW3C2BN6E Micron Technology Inc. в нашем каталоге. В наличии NAND04GW3C2BN6E с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP).
NAND04GW3C2BN6E характеристики
| Производитель | Micron Technology Inc. |
|---|---|
| Серия | - |
| Part Status | Obsolete |
| Упаковка | Tray |
| Вид монтажа | Surface Mount |
| Корпус | 48-TFSOP (0.724 |
| 18.40mm Width) | Технология |
| FLASH - NAND | Рабочая температура |
| -40°C ~ 85°C (TA) | Исполнение корпуса |
| 48-TSOP | Base Part Number |
| NAND04G | Напряжение питания |
| 2.7 V ~ 3.6 V | Тип памяти |
| Non-Volatile | Объем памяти |
| 4Gb (512M x 8) | Время доступа |
| 25ns | Memory Format |
| FLASH | Write Cycle Time - Word |
| Page | 25ns |
| Memory Interface | Parallel" |
Как подобрать аналог и проверить совместимость
Перед заказом сравните параметры этой позиции с требованиями вашей схемы и посадочного места.
Что важно проверить:
- Номинал, допуск и рабочий диапазон температур.
- Ток/напряжение с запасом под реальную нагрузку.
- Тип корпуса и габариты для корректного монтажа.
- Условия применения (частота, нагрев, режим работы).
Нужен аналог для NAND04GW3C2BN6E? Отправьте артикул и требования через форму ниже — подберем совместимую замену.
Похожие товары
W25Q32JVTBIQ (IC FLASH 32M SPI 133MHZ 24TFBGA)
Категория:
Интегральные микросхемы
314.40₽
ЗаказатьS-1721A1212-M6T1U (IC REG LIN 1.2V/1.2V 150MA SOT23)
Категория:
Интегральные микросхемы
ЗаказатьSI5335D-B01690-GMR (4-OUTPUT, ANY FREQUENCY()
Категория:
Интегральные микросхемы
Заказать10AS048H2F34E1SG (IC SOC FPGA 492 I/O 1152FBGA)
Категория:
Интегральные микросхемы
Заказать

