+7(916) 225-43-02

N04L63W1AB27I (IC SRAM 4M PARALLEL 48BGA)

N04L63W1AB27I (IC SRAM 4M PARALLEL 48BGA)
Интегральные микросхемы Модули памяти
Доставка N04L63W1AB27I по России Модули памяти N04L63W1AB27I ON Semiconductor в нашем каталоге. В наличии N04L63W1AB27I с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (IC SRAM 4M PARALLEL 48BGA).

N04L63W1AB27I характеристики

ПроизводительON Semiconductor
Серия-
Part StatusObsolete
УпаковкаTray
Вид монтажаSurface Mount
Корпус48-LFBGA
ТехнологияSRAM - Asynchronous
Рабочая температура-40°C ~ 85°C (TA)
Исполнение корпуса48-BGA (6x8)
Base Part NumberN04L63W1A
Напряжение питания2.3 V ~ 3.6 V
Тип памятиVolatile
Объем памяти4Mb (256K x 16)
Время доступа70ns
Memory FormatSRAM
Write Cycle Time - WordPage
70nsMemory Interface

Рекомендации по подбору

При подборе аналога для N04L63W1AB27I (4Mb SRAM, 256K×16, Parallel, 48-BGA) в первую очередь проверьте напряжение питания (2,3–3,6 В), время доступа (70 нс) и тип корпуса (48-LFBGA, 6×8 мм). Различия хотя бы по одному из этих параметров могут привести к несовместимости на плате или к сбоям в работе.

Учитывайте, что данный компонент имеет статус Obsolete. При замене обязательно сверяйте распиновку (все линии адреса/данных, управляющие сигналы), температурный диапазон (-40…+85 °C) и технологию (асинхронный SRAM). Даже небольшие отклонения во входных логических уровнях или ёмкости выводов способны вызвать нестабильность в промышленных или автомобильных устройствах.

  • Основные критерии выбора аналога: напряжение питания, ёмкость памяти, организация (256K×16), время доступа, корпус и температурный диапазон.
  • Для проверки совместимости используйте даташиты, сравнивая временные диаграммы (tRC, tWC, tAA) и нагрузочную способность выводов.
  • Риски при замене устаревшего чипа: возможное изменение внутренней архитектуры (например, другой тип ячеек), отличия в энергопотреблении и требованиях к развязке по питанию.

Похожие товары