+7(916) 225-43-02

MURT20020R (DIODE MODULE 200A 3TOWER)

MURT20020R (DIODE MODULE 200A 3TOWER)
Дискретные полупроводники Диоды — выпрямители — наборы и массивы
Доставка MURT20020R по России Диоды — выпрямители — наборы и массивы MURT20020R GeneSiC Semiconductor в нашем каталоге. В наличии MURT20020R с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (DIODE MODULE 200A 3TOWER).

MURT20020R характеристики

ПроизводительGeneSiC Semiconductor
Серия-
Part StatusActive
УпаковкаBulk
Вид монтажаChassis Mount
КорпусThree Tower
Исполнение корпусаThree Tower
Тип диодаStandard
Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If1.3V @ 100A
Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)25µA @ 50V
Конфигурация диода1 Pair Common Anode
Максимальное обратное напряжение (Vr)200V
Cреднее значение выпрямленного тока (Io) (на один диод)200A (DC)
СкоростьFast Recovery = 200mA (Io)
Время восстановления запорного слоя (trr)75ns

Рекомендации по подбору

Диодный модуль MURT20020R от GeneSiC Semiconductor предназначен для применения в мощных выпрямительных схемах. При выборе аналогов важно учитывать характеристики, такие как максимальное обратное напряжение, прямое напряжение и ток утечки, чтобы обеспечить совместимость с существующими системами.

При замене MURT20020R необходимо проверить параметры, чтобы избежать рисков, связанных с перегревом или недостаточной производительностью. Рекомендуется учитывать следующие критерии:

  • Максимальное обратное напряжение (Vr) не должно быть ниже 200V.
  • Прямое напряжение (Vf) при 100A должно соответствовать 1.3V.
  • Ток утечки при обратном напряжении (Vr) должен быть минимальным, желательно не более 25µA.
  • Скорость восстановления диода должна быть быстрой, с временем восстановления не более 75ns.

Похожие товары