+7(916) 225-43-02

MUR320SBHR5G (DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA)

MUR320SBHR5G (DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA)
Дискретные полупроводники Диоды — выпрямители — одиночные
Доставка MUR320SBHR5G по России Диоды — выпрямители — одиночные MUR320SBHR5G Taiwan Semiconductor Corporation в нашем каталоге. В наличии MUR320SBHR5G с доставкой по всей России через транспортные компании. Цена от 297.60 руб. Срок поставки уточняйте. (DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA).

MUR320SBHR5G характеристики

ПроизводительTaiwan Semiconductor Corporation
Серия-
Part StatusActive
УпаковкаCut Tape (CT)
Вид монтажаSurface Mount
КорпусDO-214AA
SMBИсполнение корпуса
DO-214AA (SMB)Тип диода
StandardCреднее значение выпрямленного тока (Io)
3AПрямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
900mV @ 3AТок утечки при Обратном напряжении (Vr)
5µA @ 200VМаксимальное обратное напряжение (Vr)
200VСкорость
Fast Recovery = 200mA (Io)Время восстановления запорного слоя (trr)
25nsРабочая температура pn-прехода
-55°C ~ 175°CЕмкость @ Vr
F45pF @ 4V

Рекомендации по подбору

MUR320SBHR5G — быстровосстанавливающийся выпрямительный диод на максимальное обратное напряжение 200 В и средний ток 3 А в корпусе DO-214AA (SMB). Благодаря времени восстановления 25 нс и прямому падению 900 мВ при 3 А он подходит для высокочастотных схем в импульсных блоках питания и преобразователях. Устройство рассчитано на рабочий диапазон температур −55…+175 °C.

При выборе аналога критично сопоставить не только базовые параметры (Vrrm, Io), но и динамические характеристики. Неправильная замена по скорости восстановления или прямому напряжению может вызвать перегрев и нестабильность схемы. Основные критерии и риски:

  • Параметры для замены: обратное напряжение ≥200 В, ток ≥3 А, Vf ≤900 мВ при 3 А, trr ≤25 нс. Отклонение по trr более чем на 10 нс увеличит коммутационные потери.
  • Проверка совместимости: корпус DO-214AA (SMB), поверхностный монтаж. Убедитесь в идентичности посадочного места и тепловых режимов — разница в тепловом сопротивлении может снизить надёжность.
  • Риски при замене: установка диода с меньшим Vrrm или Io приведёт к пробою или перегрузке. Аналог с более высоким Vf снизит КПД, а с бо́льшим обратным током утечки (свыше 5 мкА при 200 В) — ухудшит стабильность в высокоомных цепях.

Похожие товары