+7(916) 225-43-02

MTA4ATF25664HZ-2G6B1 (IC DRAM 16G PARALLEL 1333MHZ)

MTA4ATF25664HZ-2G6B1 (IC DRAM 16G PARALLEL 1333MHZ)
Интегральные микросхемы Модули памяти
Доставка MTA4ATF25664HZ-2G6B1 по России Модули памяти MTA4ATF25664HZ-2G6B1 Micron Technology Inc. в нашем каталоге. В наличии MTA4ATF25664HZ-2G6B1 с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (IC DRAM 16G PARALLEL 1333MHZ).

MTA4ATF25664HZ-2G6B1 характеристики

ПроизводительMicron Technology Inc.
Серия-
Part StatusObsolete
ТехнологияSDRAM - DDR4
Рабочая температура0°C ~ 95°C (TC)
Напряжение питания1.2V
Тип памятиVolatile
Объем памяти16Gb (256M x 64)
Clock Frequency1333MHz
Memory FormatDRAM
Write Cycle Time - WordPage
-Memory Interface

Рекомендации по подбору

Микросхема памяти MTA4ATF25664HZ-2G6B1 (Micron) — это DDR4 SDRAM объёмом 16 Гбит с 64-разрядной шиной и тактовой частотой 1333 МГц. Компонент снят с производства (Obsolete), поэтому при проектировании или ремонте потребуется подбор функционального аналога.

Для выбора замены оцените совместимость по напряжению (1,2 В), типу памяти (DDR4) и организации (256M x 64). Учитывайте временные характеристики (CAS Latency, tRCD, tRP) и рабочий температурный диапазон (0…95 °C).

  • Сверьте корпус и распиновку: для данной серии типичен BGA-96, но уточните по datasheet.
  • Проверьте поддержку частоты шины 1333 МГц и профиля SPD — несоответствие может вызвать сбои инициализации.
  • Убедитесь, что сигналы управления (CKE, ODT, ZQ) совпадают с целевой платой — различия в конфигурации приводят к нестабильности.
  • При замене учитывайте риски: увеличенные тайминги снижают пропускную способность, а более низкое напряжение VPP может потребовать пересчёта подсистемы питания.

Похожие товары