+7(916) 225-43-02

MT8KTF51264HZ-1G9E1 (MODULE DDR3L SDRAM 4GB 204SODIMM)

MT8KTF51264HZ-1G9E1 (MODULE DDR3L SDRAM 4GB 204SODIMM)
Карты памяти Модули Модули памяти
Доставка MT8KTF51264HZ-1G9E1 по России Модули памяти MT8KTF51264HZ-1G9E1 Micron Technology Inc. в нашем каталоге. В наличии MT8KTF51264HZ-1G9E1 с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (MODULE DDR3L SDRAM 4GB 204SODIMM).

MT8KTF51264HZ-1G9E1 характеристики

ПроизводительMicron Technology Inc.
Серия-
Part StatusObsolete
Корпус204-SODIMM
Тип памятиDDR3L SDRAM
Скорость1866MT/s
Объем памяти4GB

Рекомендации по подбору

Модуль MT8KTF51264HZ-1G9E1 — это DDR3L SDRAM объёмом 4 ГБ в форм-факторе 204-контактного SO-DIMM. Рабочая частота 1866 МТ/с, напряжение питания 1,35 В. Производитель Micron, статус компонента — снят с производства.

При подборе аналога для замены данного модуля необходимо учитывать несколько параметров совместимости. Поскольку компонент устарел, альтернативы следует выбирать из текущих линеек DDR3L с аналогичными характеристиками.

  • Напряжение: строго 1,35 В (DDR3L), установка модуля DDR3 (1,5 В) может повредить контроллер памяти.
  • Частота и тайминги: частота должна быть не ниже 1866 МТ/с, тайминги — идентичны или лучше (например, CL11).
  • Объём и форм-фактор: только 204-контактные SO-DIMM, объём до 8 ГБ на слот (если поддерживается материнской платой).
  • Риски: использование модуля с более высокими таймингами снизит производительность; несовместимость по напряжению приведёт к отказу системы.

Похожие товары