+7(916) 225-43-02

MT47H512M4THN-25E:M (IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ)

MT47H512M4THN-25E:M (IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ)
Интегральные микросхемы Модули памяти
Доставка MT47H512M4THN-25E:M по России Модули памяти MT47H512M4THN-25E:M Micron Technology Inc. в нашем каталоге. В наличии MT47H512M4THN-25E:M с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ).

MT47H512M4THN-25E:M характеристики

ПроизводительMicron Technology Inc.
Серия-
Part StatusObsolete
ТехнологияSDRAM - DDR2
Рабочая температура0°C ~ 85°C (TC)
Напряжение питания1.7 V ~ 1.9 V
Тип памятиVolatile
Объем памяти2Gb (512M x 4)
Clock Frequency400MHz
Время доступа400ps
Memory FormatDRAM
Write Cycle Time - WordPage
15nsMemory Interface

Как подобрать аналог и проверить совместимость

Перед заказом сравните параметры этой позиции с требованиями вашей схемы и посадочного места.

Что важно проверить:

  • Номинал, допуск и рабочий диапазон температур.
  • Ток/напряжение с запасом под реальную нагрузку.
  • Тип корпуса и габариты для корректного монтажа.
  • Условия применения (частота, нагрев, режим работы).

Нужен аналог для MT47H512M4THN-25E:M? Отправьте артикул и требования через форму ниже — подберем совместимую замену.

Похожие товары