+7(916) 225-43-02

MT41K512M8V00HWC1 (IC DRAM 4G PARALLEL DIE)

MT41K512M8V00HWC1 (IC DRAM 4G PARALLEL DIE)
Интегральные микросхемы Модули памяти
Доставка MT41K512M8V00HWC1 по России Модули памяти MT41K512M8V00HWC1 Micron Technology Inc. в нашем каталоге. В наличии MT41K512M8V00HWC1 с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (IC DRAM 4G PARALLEL DIE).

MT41K512M8V00HWC1 характеристики

ПроизводительMicron Technology Inc.
Серия-
Part StatusActive
ТехнологияSDRAM - DDR3L
Рабочая температура0°C ~ 95°C (TC)
Напряжение питания1.283 V ~ 1.45 V
Тип памятиVolatile
Объем памяти4Gb (512M x 8)
Memory FormatDRAM
Write Cycle Time - WordPage
-Memory Interface

Как подобрать аналог и проверить совместимость

Перед заказом сравните параметры этой позиции с требованиями вашей схемы и посадочного места.

Что важно проверить:

  • Номинал, допуск и рабочий диапазон температур.
  • Ток/напряжение с запасом под реальную нагрузку.
  • Тип корпуса и габариты для корректного монтажа.
  • Условия применения (частота, нагрев, режим работы).

Нужен аналог для MT41K512M8V00HWC1? Отправьте артикул и требования через форму ниже — подберем совместимую замену.

Похожие товары