MT41K512M4DA-125:K (IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA)
Доставка MT41K512M4DA-125:K по России Модули памяти MT41K512M4DA-125:K Micron Technology Inc. в нашем каталоге. В наличии MT41K512M4DA-125:K с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA).
MT41K512M4DA-125:K характеристики
| Производитель | Micron Technology Inc. |
|---|---|
| Серия | - |
| Part Status | Active |
| Упаковка | Bulk |
| Вид монтажа | Surface Mount |
| Корпус | 78-TFBGA |
| Технология | SDRAM - DDR3L |
| Рабочая температура | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Исполнение корпуса | 78-FBGA (8x10.5) |
| Base Part Number | MT41K512M4 |
| Напряжение питания | 1.283 V ~ 1.45 V |
| Тип памяти | Volatile |
| Объем памяти | 2Gb (512M x 4) |
| Clock Frequency | 800MHz |
| Время доступа | 13.75ns |
| Memory Format | DRAM |
| Write Cycle Time - Word | Page |
| - | Memory Interface |
Рекомендации по подбору
Микросхема MT41K512M4DA-125:K представляет собой DDR3L SDRAM объёмом 2 Гбит с организацией 512М x4, работающую при напряжении от 1,283 до 1,45 В. Корпус 78-FBGA (8x10,5 мм) и частота 800 МГц (задержка доступа 13,75 нс) определяют её применение в компактных встраиваемых системах и промышленном оборудовании.
При подборе функционального аналога или замены важно учитывать не только ёмкость и скорость, но и электрические параметры, а также совместимость по выводам и температурному диапазону (0…95°C). Ошибка в замене может привести к нестабильности работы или выходу устройства из строя.
- Сравните напряжение питания: оригинал использует DDR3L (1,283–1,45 В). Установка DDR3 (1,5 В) вызовет перегрузку, а DDR3L с пониженным напряжением не гарантирует работу при 1,283 В.
- Проверьте распиновку: 78-шариковый BGA с шагом 0,8 мм. Аналоги в корпусах другого размера (например, 96-BGA) электрически несовместимы.
- Учитывайте организацию шины: 512М x4 означает 4-битную ширину данных — для замены подходят только микросхемы с аналогичной организацией (x4), иначе потребуется изменение схемы адресации.
- Риски: применение аналога с большей задержкой (tRCD, tRP) снизит производительность, а с меньшим временем восстановления (tRFC) может нарушить циклы refresh, особенно при повышенной рабочей температуре.
Похожие товары
CY7C1061DV18-15ZSXI (IC SRAM 16M PARALLEL 54TSOP)
Категория:
Интегральные микросхемы
8727.60
₽
Заказать
XCV300-4BG352I (IC FPGA 260 I/O 352MBGA)
Категория:
Интегральные микросхемы
Заказать
E-L6452 (IC INKET DRVR DUAL 13X16 100QFP)
Категория:
Интегральные микросхемы
2174.40
₽
Заказать
IS42S16100E-6TLI (IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II)
Категория:
Интегральные микросхемы
Заказать