+7(916) 225-43-02

MT40A2G4WE-083E:B (IC DRAM 8G PARALLEL 1.2GHZ)

MT40A2G4WE-083E:B (IC DRAM 8G PARALLEL 1.2GHZ)
Интегральные микросхемы Модули памяти
Доставка MT40A2G4WE-083E:B по России Модули памяти MT40A2G4WE-083E:B Micron Technology Inc. в нашем каталоге. В наличии MT40A2G4WE-083E:B с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (IC DRAM 8G PARALLEL 1.2GHZ).

MT40A2G4WE-083E:B характеристики

ПроизводительMicron Technology Inc.
Серия-
Part StatusActive
ТехнологияSDRAM - DDR4
Рабочая температура0°C ~ 95°C (TC)
Напряжение питания1.14 V ~ 1.26 V
Тип памятиVolatile
Объем памяти8Gb (2G x 4)
Clock Frequency1.2GHz
Memory FormatDRAM
Write Cycle Time - WordPage
-Memory Interface

Как подобрать аналог и проверить совместимость

Перед заказом сравните параметры этой позиции с требованиями вашей схемы и посадочного места.

Что важно проверить:

  • Номинал, допуск и рабочий диапазон температур.
  • Ток/напряжение с запасом под реальную нагрузку.
  • Тип корпуса и габариты для корректного монтажа.
  • Условия применения (частота, нагрев, режим работы).

Нужен аналог для MT40A2G4WE-083E:B? Отправьте артикул и требования через форму ниже — подберем совместимую замену.

Похожие товары