MT40A1G8WE-075E:B (IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ)
Доставка MT40A1G8WE-075E:B по России Модули памяти MT40A1G8WE-075E:B Micron Technology Inc. в нашем каталоге. В наличии MT40A1G8WE-075E:B с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ).
MT40A1G8WE-075E:B характеристики
| Производитель | Micron Technology Inc. |
|---|---|
| Серия | - |
| Part Status | Active |
| Технология | SDRAM - DDR4 |
| Рабочая температура | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Напряжение питания | 1.14 V ~ 1.26 V |
| Тип памяти | Volatile |
| Объем памяти | 8Gb (1G x 8) |
| Clock Frequency | 1.33GHz |
| Memory Format | DRAM |
| Write Cycle Time - Word | Page |
| - | Memory Interface |
Как подобрать аналог и проверить совместимость
Перед заказом сравните параметры этой позиции с требованиями вашей схемы и посадочного места.
Что важно проверить:
- Номинал, допуск и рабочий диапазон температур.
- Ток/напряжение с запасом под реальную нагрузку.
- Тип корпуса и габариты для корректного монтажа.
- Условия применения (частота, нагрев, режим работы).
Нужен аналог для MT40A1G8WE-075E:B? Отправьте артикул и требования через форму ниже — подберем совместимую замену.
Похожие товары
MB90427GAVPF-GS-267 (IC MCU 16BIT 64KB MROM 100QFP)
Категория:
Интегральные микросхемы
ЗаказатьAS7C3256A-10JCNTR (IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ)
Категория:
Интегральные микросхемы
ЗаказатьTPS61005DGSRG4 (IC REG BOOST 3V 1.3A 10-MSOP)
Категория:
Интегральные микросхемы
ЗаказатьNCP303LSN38T1G (IC DETECTOR VOLTAGE 3.8V 5TSOP)
Категория:
Интегральные микросхемы
55.20₽
Заказать