MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80C (IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ)
MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80C характеристики
| Производитель | Micron Technology Inc. |
|---|---|
| Серия | - |
| Part Status | Active |
| Технология | FLASH - NAND |
| DRAM - LPDDR2 | Рабочая температура |
| -25°C ~ 85°C (TA) | Напряжение питания |
| 1.8V | Тип памяти |
| Non-Volatile | Объем памяти |
| 4Gb (256M x 16)(NAND) | 4G (128M x 32)(LPDDR2) |
| Clock Frequency | 533MHz |
| Memory Format | FLASH |
| RAM | Write Cycle Time - Word |
| Page | - |
| Memory Interface | Parallel |
Рекомендации по подбору
MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80C — комбинированный модуль памяти Micron, объединяющий NAND Flash (4 Гбит) и LPDDR2 (4 Гбит) в одном корпусе. Интерфейс параллельный, тактовая частота до 533 МГц, напряжение питания 1,8 В. Применяется во встраиваемых системах, где требуется одновременное хранение данных и быстрая оперативная память с минимальным числом компонентов.
При подборе аналога критично учитывать, что это гибридное устройство: замена должна содержать Flash и DRAM с аналогичными характеристиками (объём, скорость, напряжение), а также поддерживать параллельный интерфейс. Простая замена только Flash-микросхемы недопустима. Рекомендуется сверять размер корпуса и расположение выводов — альтернативные MCP-модули от других производителей могут иметь другую распиновку.
- Критерии выбора аналога: точное совпадение объёмов NAND и LPDDR2, частота не ниже 533 МГц, напряжение 1,8 В, поддержка параллельного интерфейса, температура от –25 до +85 °C.
- Проверка совместимости: сверьте выводы (pin-to-pin) по даташиту, убедитесь в совпадении логических уровней и временных параметров (tRC, tRP, tRCD).
- Риски при замене: несовместимость по интерфейсу (последовательный вместо параллельного), отличие по напряжению (1,8 В против 3,3 В) приводит к повреждению. Неверный объём одного из блоков может вызвать сбои инициализации.
Похожие товары
LMP2231BMAX/NOPB (IC OPAMP GP 130KHZ RRO 8SOIC)
ISL6745AU-T (IC REG CTRLR MULT TOP 10MSOP)
93AA56C/W15K (IC EEPROM 2K SPI 3MHZ WAFER)
