+7(916) 225-43-02

MT29F4G16ABADAWP-AIT:D (IC FLASH 4G PARALLEL TSOP)

MT29F4G16ABADAWP-AIT:D (IC FLASH 4G PARALLEL TSOP)
Интегральные микросхемы Модули памяти
Доставка MT29F4G16ABADAWP-AIT:D по России Модули памяти MT29F4G16ABADAWP-AIT:D Micron Technology Inc. в нашем каталоге. В наличии MT29F4G16ABADAWP-AIT:D с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (IC FLASH 4G PARALLEL TSOP).

MT29F4G16ABADAWP-AIT:D характеристики

ПроизводительMicron Technology Inc.
Серия-
Part StatusActive
ТехнологияFLASH - NAND
Рабочая температура-40°C ~ 85°C (TA)
Напряжение питания2.7 V ~ 3.6 V
Тип памятиNon-Volatile
Объем памяти4Gb (256M x 16)
Memory FormatFLASH
Write Cycle Time - WordPage
-Memory Interface

Рекомендации по подбору

Микросхема MT29F4G16ABADAWP-AIT:D (Micron) — NAND Flash-память объёмом 4 Гбит с параллельным интерфейсом и организацией 256M x 16 бит. Корпус TSOP, напряжение питания 2,7–3,6 В, промышленный температурный диапазон от –40 до +85 °C. Компонент применяется в системах хранения данных, где требуется энергонезависимая память с блочным доступом.

При подборе аналога или замены учитывайте следующие критерии:

  • Напряжение и временные характеристики: заменяемая микросхема должна работать в том же диапазоне Vcc и иметь совместимые тайминги чтения/записи (tRC, tWC, tR).
  • Интерфейс и корпус: только параллельные NAND с шиной x16 и корпусом TSOP-48 (или совместимым по посадочному месту).
  • Температурный диапазон: для промышленных условий обязателен расширенный диапазон –40…+85 °C, как у оригинала.
  • Риски при замене: возможны отличия в алгоритме управления дефектными блоками, командах стирания/программирования и требованиях к ECC — необходима сверка с даташитом кандидата.

Похожие товары