+7(916) 225-43-02

MT29E512G08CEHBBJ4-3:B (IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ)

MT29E512G08CEHBBJ4-3:B (IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ)
Интегральные микросхемы Модули памяти
Доставка MT29E512G08CEHBBJ4-3:B по России Модули памяти MT29E512G08CEHBBJ4-3:B Micron Technology Inc. в нашем каталоге. В наличии MT29E512G08CEHBBJ4-3:B с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ).

MT29E512G08CEHBBJ4-3:B характеристики

ПроизводительMicron Technology Inc.
Серия-
Part StatusActive
ТехнологияFLASH - NAND
Рабочая температура0°C ~ 70°C (TA)
Напряжение питания2.5 V ~ 3.6 V
Тип памятиNon-Volatile
Объем памяти512Gb (64G x 8)
Clock Frequency333MHz
Memory FormatFLASH
Write Cycle Time - WordPage
-Memory Interface

Как подобрать аналог и проверить совместимость

Перед заказом сравните параметры этой позиции с требованиями вашей схемы и посадочного места.

Что важно проверить:

  • Номинал, допуск и рабочий диапазон температур.
  • Ток/напряжение с запасом под реальную нагрузку.
  • Тип корпуса и габариты для корректного монтажа.
  • Условия применения (частота, нагрев, режим работы).

Нужен аналог для MT29E512G08CEHBBJ4-3:B? Отправьте артикул и требования через форму ниже — подберем совместимую замену.

Похожие товары