MSRT100120(A)D (DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER)
Доставка MSRT100120(A)D по России Диоды — выпрямители — наборы и массивы MSRT100120(A)D GeneSiC Semiconductor в нашем каталоге. В наличии MSRT100120(A)D с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER).
MSRT100120(A)D характеристики
| Производитель | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|
| Серия | - |
| Part Status | Active |
| Упаковка | Bulk |
| Вид монтажа | Chassis Mount |
| Корпус | Three Tower |
| Исполнение корпуса | Three Tower |
| Тип диода | Standard |
| Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If | 1.1V @ 100A |
| Ток утечки при Обратном напряжении (Vr) | 10µA @ 1200V |
| Конфигурация диода | 1 Pair Series Connection |
| Максимальное обратное напряжение (Vr) | 1200V |
| Cреднее значение выпрямленного тока (Io) (на один диод) | 100A |
| Скорость | Standard Recovery >500ns |
| > 200mA (Io) | Рабочая температура pn-прехода |
Как подобрать аналог и проверить совместимость
Перед заказом сравните параметры этой позиции с требованиями вашей схемы и посадочного места.
Что важно проверить:
- Номинал, допуск и рабочий диапазон температур.
- Ток/напряжение с запасом под реальную нагрузку.
- Тип корпуса и габариты для корректного монтажа.
- Условия применения (частота, нагрев, режим работы).
Нужен аналог для MSRT100120(A)D? Отправьте артикул и требования через форму ниже — подберем совместимую замену.
Похожие товары
SF1003GHC0G (DIODE GEN PURP 150V 10A TO220AB)
Категория:
Дискретные полупроводники
ЗаказатьAR3PJ-M3/86A (DIODE AVALANCHE 600V 1.8A TO277A)
Категория:
Дискретные полупроводники
192₽
ЗаказатьMMBD7000LT3G (DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23)
Категория:
Дискретные полупроводники
34.32₽
ЗаказатьVSIB480-E3/45 (DIODE 4A 800V SGL BRIDGE 4SIP)
Категория:
Дискретные полупроводники
Заказать

