+7(916) 225-43-02

MSM51V17405F-60T3-K (IC DRAM 16M PARALLEL 26TSOP)

MSM51V17405F-60T3-K (IC DRAM 16M PARALLEL 26TSOP)
Интегральные микросхемы Модули памяти
Доставка MSM51V17405F-60T3-K по России Модули памяти MSM51V17405F-60T3-K Rohm Semiconductor в нашем каталоге. В наличии MSM51V17405F-60T3-K с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (IC DRAM 16M PARALLEL 26TSOP).

MSM51V17405F-60T3-K характеристики

ПроизводительRohm Semiconductor
Серия-
Part StatusActive
УпаковкаTray
Вид монтажаSurface Mount
Корпус-
ТехнологияDRAM
Рабочая температура0°C ~ 70°C (TA)
Исполнение корпуса26-TSOP
Base Part NumberMSM5*
Напряжение питания3 V ~ 3.6 V
Тип памятиVolatile
Объем памяти16Mb (4M x 4)
Время доступа30ns
Memory FormatDRAM
Write Cycle Time - WordPage
104nsMemory Interface

Рекомендации по подбору

Микросхема MSM51V17405F-60T3-K — асинхронная DRAM объемом 16 Мбит с организацией 4Mx4, работающая от напряжения 3,0–3,6 В. Время выборки составляет 30 нс, корпус 26-TSOP, монтаж на поверхность. Применяется в системах, где требуется параллельный интерфейс памяти с низкой задержкой.

При подборе аналога необходимо проверить совместимость по всем параметрам, иначе возможны сбои в работе устройства. Особое внимание уделите напряжению питания, временным характеристикам и цоколевке.
  • Организация памяти: замена с другой разрядностью (например, 16Mx1) недопустима — подходит только 4Mx4.
  • Напряжение питания: строго 3,0–3,6 В; использование 5-вольтовой микросхемы вызовет повреждение.
  • Время доступа: 30 нс — замена с более медленным (40 нс) может нарушить тайминги.
  • Корпус и цоколевка: только 26-TSOP; другие варианты (SOJ, BGA) требуют переработки платы.

Похожие товары