MBRT40040 (DIODE MODULE 40V 400A 3TOWER)
MBRT40040 характеристики
| Производитель | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|
| Серия | - |
| Part Status | Active |
| Упаковка | Bulk |
| Вид монтажа | Chassis Mount |
| Корпус | Three Tower |
| Исполнение корпуса | Three Tower |
| Тип диода | Schottky |
| Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If | 750mV @ 200A |
| Ток утечки при Обратном напряжении (Vr) | 1mA @ 20V |
| Конфигурация диода | 1 Pair Common Cathode |
| Максимальное обратное напряжение (Vr) | 40V |
| Cреднее значение выпрямленного тока (Io) (на один диод) | 400A (DC) |
| Скорость | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Рабочая температура pn-прехода | -55°C ~ 175°C |
Рекомендации по подбору
Диодный модуль MBRT40040 (GeneSiC Semiconductor) представляет собой сборку Шоттки с конфигурацией «общий катод» (1 Pair Common Cathode) на ток 400 А (DC) и обратное напряжение 40 В. Корпус Three Tower предназначен для монтажа на шасси, что обеспечивает эффективный отвод тепла при работе в силовых цепях с низким прямым падением напряжения (750 мВ при 200 А). Благодаря высокой токовой нагрузке и быстрому восстановлению модуль применяется в выпрямителях, источниках питания и преобразователях.
При подборе аналога необходимо учитывать ключевые характеристики, чтобы избежать несовместимости и выхода оборудования из строя. Ошибки в выборе напряжения, тока или корпуса приводят к перегреву и сокращению срока службы. Ориентируйтесь на следующие критерии:
- Максимальное обратное напряжение (Vr) — не менее 40 В, иначе возможен пробой при пиковых нагрузках.
- Средний выпрямленный ток (Io) на один диод — не ниже 400 А (DC); при замене сборки с иной конфигурацией суммируйте токи.
- Корпус и способ монтажа — Three Tower с креплением на шасси; иной форм-фактор потребует доработки охлаждения и печатной платы.
- Тип диода (Шоттки) и прямое напряжение (Vf) — близкое значение у аналога гарантирует потери и тепловой режим, сопоставимые с оригиналом.