MBRS190T3G (DIODE SCHOTTKY 90V 1A SMB)
MBRS190T3G характеристики
| Производитель | ON Semiconductor |
|---|---|
| Серия | - |
| Part Status | Active |
| Упаковка | Cut Tape (CT) |
| Вид монтажа | Surface Mount |
| Корпус | DO-214AA |
| SMB | Исполнение корпуса |
| SMB | Base Part Number |
| MBRS190 | Тип диода |
| Schottky | Cреднее значение выпрямленного тока (Io) |
| 1A | Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If |
| 750mV @ 1A | Ток утечки при Обратном напряжении (Vr) |
| 500µA @ 90V | Максимальное обратное напряжение (Vr) |
| 90V | Скорость |
| Fast Recovery = 200mA (Io) | Рабочая температура pn-прехода |
| -65°C ~ 175°C | Емкость @ Vr |
| F | - |
Рекомендации по подбору
Диод Шоттки MBRS190T3G от ON Semiconductor рассчитан на максимальное обратное напряжение 90 В и средний выпрямленный ток 1 А. Корпус SMB (DO-214AA) предназначен для поверхностного монтажа, а низкое прямое напряжение 750 мВ при 1 А обеспечивает минимальные потери. Устройство подходит для импульсных источников питания, DC/DC-преобразователей и цепей защиты от обратной полярности.
При подборе функционального аналога критичны параметры: прямое напряжение (Vf), обратный ток утечки (Ir), максимальная температура перехода (175°C) и тип корпуса. Замена на диод с более высоким Vf увеличит нагрев; меньший запас по напряжению (Vr) может привести к пробою. Обратите внимание на скорость восстановления — для Шоттки она минимальна, что важно при высоких частотах переключения.
- Совместимость по электрическим параметрам: подбирайте аналог с Vr ≥ 90 В и If(avg) ≥ 1 А, желательно с запасом 20–30%. Учитывайте пиковые токи и температуру корпуса.
- Тепловой режим: проверьте, что аналог допускает ту же температуру перехода (175°C) и имеет аналогичное тепловое сопротивление. Монтаж в корпус SMB упрощает замену, но разные производители могут иметь незначительные отличия в размерах.
- Риски при замене: установка обычного выпрямительного диода (p-n) вместо Шоттки резко увеличит потери на прямом токе и снизит КПД. Также возможен рост электромагнитных помех из-за большего времени восстановления.