MBRS1550CTHMNG (DIODE ARRAY SCHOTTKY 50V TO263AB)
MBRS1550CTHMNG характеристики
| Производитель | Taiwan Semiconductor Corporation |
|---|---|
| Серия | Automotive |
| AEC-Q101 | Part Status |
| Active | Упаковка |
| Tape & Reel (TR) | Вид монтажа |
| Surface Mount | Корпус |
| TO-263-3 | D?Pak (2 Leads + Tab) |
| TO-263AB | Исполнение корпуса |
| TO-263AB (D?PAK) | Тип диода |
| Schottky | Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If |
| 750mV @ 7.5A | Ток утечки при Обратном напряжении (Vr) |
| 100µA @ 50V | Конфигурация диода |
| 1 Pair Common Cathode | Максимальное обратное напряжение (Vr) |
| 50V | Cреднее значение выпрямленного тока (Io) (на один диод) |
| 15A | Скорость |
| Fast Recovery = 200mA (Io) | Рабочая температура pn-прехода |
Рекомендации по подбору
Диодный массив Шоттки MBRS1550CTHMNG от Taiwan Semiconductor выполнен в корпусе TO-263AB (D²PAK) и предназначен для поверхностного монтажа. Прибор содержит два диода с общим катодом, рассчитан на обратное напряжение до 50 В и средний выпрямленный ток 15 А (на один диод), прямое падение напряжения не более 750 мВ при токе 7,5 А. Благодаря технологии Шоттки обеспечивается высокое быстродействие (Fast Recovery) и низкие коммутационные потери, что востребовано в импульсных источниках питания и преобразователях. Компонент относится к автомобильной серии и соответствует стандарту AEC-Q101.
При подборе аналога для MBRS1550CTHMNG необходимо учитывать несколько ключевых параметров, чтобы избежать снижения эффективности или выхода схемы из строя. Различия в прямом падении напряжения, токе утечки и тепловых характеристиках могут существенно повлиять на работу устройства.
- Обратное напряжение (VRRM) — не ниже 50 В, запас 20–30% для надёжности.
- Средний прямой ток (IF(AV)) — аналог должен обеспечивать такой же или больший ток с учётом температурного дерейтинга; общий ток в корпусе может быть ниже номинала из-за нагрева.
- Конфигурация и корпус — общий катод (common cathode) и TO-263AB (D²PAK); несовпадение распиновки или типоразмера потребует переработки печатной платы.
- Динамические характеристики — для высокочастотных схем критично время обратного восстановления (trr); замена на диод с бóльшим trr повысит потери и уровень помех.
Похожие товары
MSRTA600120(A) (DIODE MODULE 1.2KV 600A 3TOWER)
MDMA50P1200TG (DIODE MODULE 1.2KV 50A TO240AA)
RD0506T-TL-H (DIODE GEN PURP 600V 5A TPFA)
